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第4章 二极管及其基本电路 4.1.1 半导体材料 4.1.2 半导体 (硅和锗)的共价键结构 4.1.3 本征半导体 4.1.4 杂质半导体 4.2 PN结的形成及特性 4.3 二极管 4.3.3 二极管的参数 ☆4.4 二极管基本电路及其分析方法 4.5 特殊二极管 例 半导体器件命名方法 物体导电性能分类： 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 4.1 半导体的基本知识 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 共价键共 用电子对 （束缚电子） +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，绝对零度时束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。（本征激发） 1) 载流子：(自由电子和空穴) +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 2) 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 * 空穴吸引附近的电子来填补, 相当于空穴的迁移，可以认为空穴是载流子。空穴带正电荷，空穴移动形成电流。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 * 电子带负电荷，电子移动形成电流（和电流规定的方向相反）。 * 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强 本征半导体导电能力很弱,且随环境温度而变化。 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子： 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 在本征半导体中掺入少量的五价元素磷（或锑），外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子五价元素磷称为施主原子。 一、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如 硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价 键时，产生一个空穴。 这个空穴可能吸引束 缚电子来填补， 使得 硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 由于硼原子接受电 子，所以称为受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 二、P 型