第1章 电力电子器件53412.ppt

* 1.5 其他新型电力电子器件（自学、了解） MOS控制晶闸管MCT 静电感应晶体管SIT 静电感应晶闸管SITH 集成门极换流晶闸管IGCT 功率模块与功率集成电路 返回 * 1.6 电力电子器件的驱动及保护 1）驱动电路 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。 对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务： 按控制目标的要求施加开通或关断的信号。 对半控型器件只需提供开通控制信号。 对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 * 1.6 电力电子器件的驱动及保护 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 * 2）晶闸管的触发电路 作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 SCR触发电路应满足下列要求： 脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。 触发脉冲应有足够的幅度。 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。 有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 触发脉冲应与主电路电源电压同步，并能在一定范围内移相。 1.6 电力电子器件的驱动及保护 I I M t 1 t 2 t 3 t 4 图1-26　理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　t1~t3?强脉宽度 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） * 常见触发脉冲波形： 尖脉冲 矩形脉冲 强触发脉冲 全控型器件的驱动电路： （了解） 电流驱动型：GTO, GTR 电压驱动型：MOSFET, IGBT 1.6 电力电子器件的驱动及保护 * 3）电力电子器件的保护 过电压保护 过电流保护 du/dt 保护（断态电压临界上升率） di/dt 保护 （通态电流临界上升率） 1.6 电力电子器件的驱动及保护 缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 实际应用中，SCR一般采用RC吸收电路，以抑制换相过程中产生得过电压。 RC吸收电路：适用于小容量器件 RCD吸收电路：中、大容量器件 返回 * 本章作业 P42: 1, 2, 3, 4 返回 * 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 图1-6 SCR的外形、结构和电气符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气符号 1) SCR的结构 * 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 管芯：四层三端的芯片（主要部件，决定 SCR的性能） 管壳：保护管芯 散热器：把热量传递给冷却介质 引线：阳极、阴极、门极（P2区引出） * 2）SCR工作原理 SCR二极管模型及阻断特性 当uAK0时，J1,J3反偏，J2正偏，称为反向阻断； 当uAK 0时，J1,J3正偏，J2反偏，称为正向阻断。 G J1 A K J3 J2 PN PN NP 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 * SCR的双晶体管模型及工作原理 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 SCR的开通： 在晶闸管阳极与阴极间施加正向阳极电压，IG =0时，正向阻断状态； 给门极注入触发电流IG ，将形成强烈的正反馈，使两管饱和导通，撤去IG ，则管子仍保持导通。 * 根据晶体管的工作原理，得： 从而， 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 （1-2） （1-1） （1-3） （1-4） （1-5） 在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 * SCR的关断： 减少IA或增大R，使IA IH 才能使SCR自然关断。通常是施加一定时间的反压。 结论 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦