CdS CdTe太阳电池的背接触(背表不同刻蚀Cu ZNTe CuNpBM四大07).pdfVIP

第 28 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 28 　No . 4 2007 年 4 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Ap r . ,2007 CdS/ CdTe 太阳电池的背接触 李 　卫 　冯良桓 　武莉莉 　蔡亚平 　郑家贵 　蔡 　伟 　张静全 　黎 　兵 　雷 　智 　晋 　勇 ( 四川大学材料科学与工程学院 , 成都 　6 10064) 摘要 : 磷硝酸腐蚀是一种适宜于工业化生产的背表面刻蚀工艺. 文中采用磷硝酸腐蚀 Cd Te 薄膜 ,并用溴甲醇腐蚀 作为对照实验 ,研究了两种腐蚀对材料性质的影响. 随后用真空蒸发法分别沉积了四种背接触层 ,提出了适宜于工 业化生产的背接触技术 ,并从实验和理论上对两种背接触结构的 Cd Te 太阳电池进行了分析. 关键词 : 腐蚀 ; 背接触层 ; Cd Te 太阳电池 PACC : 7340N ; 8630J ; 8160C 中图分类号 : T K5 14 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2007) 入主结 ,会影响器件的性能; 适当的掺铜浓度会在 1 　引言 Cd Te 内部形成浅受主杂质. 因此 ,采用不同的表面刻 蚀方法 ,选择相应的背接触材料以及适当的掺铜浓 化合物半导体 C d Te 的能隙约为 144e V , 接近 度 ,有利于制作性能优异的 Cd Te 薄膜太阳电池. 5 - 1 ( ) 太阳能转化的理想能隙, 其吸收系数高达 10 c m , 在以前的工作中 采用 BM 法 ,我们研制了性 [ 15 ,16 ] μ 能优异的 Cd Te 薄膜太阳电池 ,考虑到 N P 腐 1 m 厚的 Cd Te 可吸收近 99 %的可见光. 它与宽能 隙的 Cd S( ～242eV ) 形成的异质结太阳电池有很 蚀的产业化应用背景 ,本文对比研究了 N P 腐蚀和 高的理论转换效率. 目前 ,小面积 Cd Te 薄膜太阳电 BM 腐蚀对材料和器件性能的影响 ,提出了基于 N P [ 1 ,2 ] ( ) 池的效率已经达到 15 % 以上 ,商业化组件的效 腐蚀的新型背接触层 Cu/ Zn Te ∶Cu 技术 ,实验结 率已达 10 %[3 ,4 ] . ( ) 果和理论分析表明 ,Cu/ Zn Te ∶Cu N P 法 能有效