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- 2019-04-05 发布于上海
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Thesis Submitted to Hangzhou Dianzi University for the Degree of Master
Synthesis and Properties of Silicides Thermoelectric Materials
Candidate: Lin Shanshan Supervisor: Prof. Huo Dexuan
November,2013
杭州电子科技大学硕士学位论文
杭州电子科技大学硕士学位论文
I
I
摘 要
热电材料是以能直接实现电能与热能的互相转换的而出名的功能材料,本文采用高能球 磨-感应热压制备 SiGe 合金,通过感应烧结、热压制备了 Mg2Si1-xSnx 基烧结样品及热压样品。 制备了 Ga、Sb 掺杂的 SiGe 合金,Sb 单掺和 La、Bi 双掺的 Mg2Si1-xSnx 基化合物。
性能测试表明 Ga 掺杂 SiGe 合金热电材料是 P 型传导,而 Sb 掺杂 SiGe 合金则是 N 型传
导。P 型传导的 Ga 掺杂 SiGe 合金有较好的热电性能,在 805℃时,Si80Ge18Ga2 样品的无量 纲热电优值(ZT)达 0.51。但是 Ga 的掺杂量不易控制,若能做到精确控制掺杂量或许将有 助于提高其热电性能。Sb 掺杂的 SiGe 合金,虽然热电性能较之掺 P 过低,但其提升空间较 大,
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