硅碳纳米管的电子性能和硅纳米线谐振性能的原子模拟-材料加工工程专业论文.docxVIP

PAGE PAGE III (2) The vibrational properties of SiNWs are studied by using the MD method. The effect of different velocity amplitude on various parameters including quality factor Q, frequency as well as amplitude is discussed. The simulated results show that, the magnitude of Q factors increases obviously with the increase of the initial velocity amplitude at a certain temperature. The nonlinear vibration has not been excited when the velocity amplitude equals 0.25?/ps, and the value of frequency about CoM and RMS increases with the increase of velocity amplitude. The value of frequency about external energy is unchanged when the initial velocity amplitude is larger than 1.0?/ps. In addition, the results also show that there is a exponential relationship between the root mean square and the time response, meanwhile, the maximum amplitude during the vibration process is 18 and there is a phase difference between x -deflection and y -deflection. Keywords: Silicon/carbon nanotubes; Silicon nanowire; Electronic properties; Vibrational properties; Atomistic simulation 南昌航空 南昌航空大学硕士学位论文 目录 PAGE PAGE IV 目 录 摘要 I Abstract II 目 录 IV 第 1 章 绪论 1 1.1 引言 1 1.2 硅纳米管的制备 3 1.3 硅纳米管各种性能的国内外研究现状 4 1.3.1 硅纳米管电子性能的研究现状 4 1.3.2 硅纳米管力学性能的研究现状 5 1.3.3 硅纳米管热稳定性能的研究现状 6 1.3.4 硅纳米管其他性能的研究现状 6 1.4 纳米谐振器的研究现状 6 1.4.1 纳机电系统的概念 6 1.4.2 纳米谐振器的研究现状 7 1.5 本文主要的研究目的和内容 10 第 2 章 分子动力学和密度泛函理论的基本原理 12 2.1 引言 11 2.2 分子动力学方法的基本原理 12 2.2.1 分子动力学方法的基本方程 12 2.2.2 分子动力学模拟方法的基本原理 12 2.3 分子动力学的原子势函数 14 2.3.1 原子势函数的简要介绍 14 2.3.2 势函数 16 2.4 密度泛函理论的基本原理 20 2.4.1 密度泛函理论的基本方程 20 2.4.2 密度泛函理论的基本原理 20 第 3 章 非周期结构和周期结构硅/碳纳米管电子性能的研究 25 3.1 引言 25 3.2 模拟参数的设置 25 3.3 计算模型 26 PAGE PAGE V 3.4 建模方式的不同对硅/碳纳米管电子性能的影响 28 3.4.1 不同重复单元对周期结构 SiNTs 和 CNTs 电子性能的影响 ... 28 3.4.2 长度和悬空键加氢对非周期结构 SiNTs 电子性能的影响 29 3.4.3 长度和悬空键加氢对非周期结构 CNTs 电子性能的影响 31 3.5 本章内容小结 33 第 4 章 硅纳米线谐振性能的分子动力学模拟 35 4.1 引言 35 4.2 模型的建立和模拟参数的设置 36 4.3 模拟计算的理论基础 36 4.4 实验结果与讨论 37 4.4.1 初始速度振幅对 Q 值的影响 37 4.4.2