透明导电氧化物稀磁性半导体系统之磁性与光电特性之-崑山科技大学.PDF

透明導電氧化物稀磁性半導體系統之磁性 與光電特性之研究 計畫主持人 呂正中 崑山科技大學機械工程系 摘 要 本研究計畫乃針對以透明導電氧化物TCO(Transparent Conducting Oxide)為基底之稀磁性 半導體 DMS( Diluted Magnetic Semiconductor) 系統之結構、磁性與光電特性做研究與探討。 這些透明導電氧化物包含氧化鋅 (ZnO) 、氧化銦 (In O ) 、以及氧化銦錫(ITO) ，而所摻雜之磁 2 3 性原子主要是 Co 、Ni 、Mn 等具有3d電子之磁性原子，至於用來增加載子濃度之過渡金屬則 是以 Al 為主。樣本的準備上分成粉末塊材及薄膜試片兩種。粉末樣本部份主要是以固態反應 法來合成；至於薄膜試片則以射頻濺鍍法來製備。而研究方法上，我們將量測X- 光繞射譜線、 SEM 、AFM 、霍爾效應、電阻特性、X- 光吸收光譜、以及磁化率等，用以研究在粉末及薄膜 試片中其結構、電性以及磁性。 本研究計畫有兩個主要目標：其一乃希望能找到居里溫度(Tc)在室溫以上且具有本質鐵磁 性的 TCO 基底之 DMS 系統，以助於自旋電子元件之發展。另一方面，本研究計畫也希望針 對 TCO 為基底之 DMS 系統之磁性來源以及各種磁交換作用做深入之探討，以了解磁性來源 之機制以及磁性行為之演化。 執行本計畫期間，我們已成功利用固態反應方法來製備 Zn M T O(M=Co, Mn, Ni, 等3d 1-x-δ x δ 磁性離子； T=Al, Ti, Ta 等非磁性離子)之粉末塊材系統，以及利用濺鍍法來成長其薄膜樣本。 所有試片均先以 X- 光繞射來檢查其結晶性，結晶性較佳之樣本才會進行後續有關結構、電性 與磁性之量測。有關此系統磁性之探討將是這部份工作之重點，相信這部份之研究成果將有 助於釐清以 ZnO 為基礎之 DMS 系統，其鐵磁性是否為本質上特質，以及何者才是此磁交換 作用的主要媒介。由我們實驗結果顯示，在我們研究的系統當中，部份樣本具有室溫的鐵磁 性，且由 XRD 以及XAS的數據顯示，這鐵磁性應為本質上之特質，而不是來自磁性原子叢 集。另一方面由於導電性較純 ZnO 來得差，因此其鐵磁性的機制應不是經由自由載子所媒介 之交換作用，束縛極化子模型似乎比較能解釋在我們系統之中鐵磁性的成因。 關鍵詞：透明導電氧化物、稀磁性半導體；磁交換作用 一、緒論 半導體材料技術的發展隨著材料以及元件製程的開發，為了獲致更高速之元件以及更高 密度之積體線路，半導體之製程早已進入奈米時代。然而隨著元件之尺寸越來越接近電子波 包的尺度，扮隨而至的便是「量子效應」 ，亦即當尺寸再進一步的縮小時，半導體元件之半導 體特性將會因為量子穿隧效應等量子效應而消 失，並且過渡到金屬性而使元件功能喪失。突 破此微小尺寸的關鍵在於製程的改進、元件設計原理的更新以及新材料的發展等。由於電子 之自旋可分成”向上”及”向下”的兩種狀態 ，且電子在材料內之傳導過程深受材料中磁矩 排列之影響。若能適當設計材料之磁性質將可得到兩種不同之電性狀態，便可以利用於電子 元件之應用上。此種結合磁學及微電子學之新興技術，便稱之為自旋電子學(spintronics) 。 自旋電子學技術的基本原理，是通過精確控制電子「朝上 」或「朝下」自旋的特性，將 這些朝相反方向旋轉的電子排列在薄膜等物質 上，形成磁場，得到電子計算需要的「正」和 「負」或「0 」和「1」。業內人士認為，國際商用機器公司(IBM)下一步可能推出採用這種技術 生產的超大