- 6
- 0
- 约1.22千字
- 约 61页
- 2019-04-10 发布于山东
- 举报
MOCVD;衬底材料的选择;用于氮化镓生长的衬底材料性能优劣比较 ;氮化镓衬底;氮化镓衬底生产技术和设备; Al2O3衬底;SiC衬底;Si衬底;Si衬底上生产GaN外延;ZnO衬底;外延工艺;CVD;CVD的优缺点;CVD外延的生长过程;CVD外延生长过程示意图;立式钟罩型常压CVD;卧式高频感应加热常压CVD;卧式电阻加热低压CVD;卧式等离子增强低压CVD;立式平板型等离子增强CVD;桶式CVD;MOCVD;MOCVD的优点;MOCVD及相关设备技术发展现状;MOCVD设备;MOCVD设备的发展趋势;Thomas Swan的MOCVD实物;MOCVD参数;MOCVD原理图;国产MOCVD;GaN外延片产业化生长法;MOCVD法生长GaN的主要技术要求;MOCVD法生长GaN存在的问题;InGaAlP材料的外延制作;GaInN外延的制作;外延生长方法的改进;PE(Pendeo epitaxy)法;其它新型外延材料;外延技术发展趋势 ;谢谢大家!;;PPT模板下载:/moban/ 行业PPT模板:/hangye/
节日PPT模板:/jieri/ PPT素材下载:/sucai/
PPT背景图片:/beijing/ PPT图表下载:/tubiao/
优秀PPT下载:/xiazai/ PPT教程: /powerpoint
原创力文档

文档评论(0)