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第二章 立方晶系基本的晶体结构 简单的立方晶格 体心立方晶格 面心立方晶格 金刚石晶格结构（硅、锗） 闪锌矿晶格结构（GaAs） 密勒指数：界定一晶体中不同平面的方法。由下列步骤确定： 找出平面在三坐标轴上的截距值r、s、t（以晶格常数为单位）； 取这三个截距的倒数，并将其化简成最简单整数比， ； h、k、l为互质的整数，以（hkl）来表示单一平面的密勒指数。 非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，而且引入杂质能级。 施主、受主、杂质能级、n型半导体、p型半导体、多子、少子概念，以及施主、受主的实例，载流子（电子、空穴）。 非简并半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即费米能级EF至少比EV高3kT，或比EC低3kT的半导体。 室温下，完全电离，非本征半导体中多子浓度为杂质浓度。 施主浓度越高，费米能级往导带底部靠近。受主浓度越高，费米能级往价带顶端靠近近。 第四章 第五章 双极型器件：电子与空穴皆参与导通，由两个相邻的互作用的p-n结组成，其结构可为p-n-p或n-p-n。 发射区的掺杂浓度远比集电区大；基区的浓度比发射区低，但高于集电区浓度。 当基区宽度足够小时，由发射区注入基区的空穴便能够扩散通过基区而到达集基结的耗尽区边缘，并在集基偏压的作用下通过集电区。 由邻近的射基结注射过来的空穴可在