第四章 微电子封装的基板技术二课件整理.pptVIP

第四章：微电子封装的基板技术; 4.1 概论 4.2 基板分类 4.3 有机基板 4.4 陶瓷基板 4.5 低温共烧陶瓷基板 4.6 其他类型的无机基板 4.7 复合基板;4.5 低温共烧陶瓷基板(LTCC);主要体现在以下几个方面： (1)共烧需要在还原性气氛中进行，增加工艺难度，烧结温度过高，需要采用特殊烧结炉； (2)由于Mo和W本身的电阻率较高，布线电阻大，信号传输容易造成失真，增大损耗、布线细化受到了限制； (3)介质材料的介电常数都偏大，因此会增大信号传输延迟时间，特别不适用于超高频电路； (4) 氧化铝的热膨胀系数与Si的热膨胀系数相差太大，若用于裸片实装，则热循环过程中产生的热应力不易解决。 ; 2. 低温共烧陶瓷 为了解决上述问题，开发了玻璃与陶瓷混合共烧的低温共烧陶瓷基板(low temperature co-fired ceramic substrate), 其烧结温度在900 0C左右，导线布线材料采用电阻率低的Au、Ag、Ag-Pt、Cu等，可实现微细化布线，其中贵金属浆料可在大气中烧成。 特别是共烧基板材料的介电常数较低；热膨胀系数通过调整材料成分及结构可以与Si的热膨胀系数接近，而且容易实现多层化；具有足够强的