ESD (静电)对半导体器件的影响.doc

ESD (静电)对半导体器件的影响 一．? ?? ???静电的概念静电（Electrostatic）就是相对观察者为静止或缓慢变化的电荷。静电是一种电能，它留存于物体表面；静电是正电荷和负电荷在局部范围内失去平衡的结果；静电是通过电子或离子的转移而形成的。静电放电现象是大家都熟悉的。当天气干燥时，用塑料梳子梳头会产生放电声；脱下合成纤维衣服时产生劈啪声，夜间还可以看到火花（空气的击穿场强为30KV/CM）；在日光灯、电视机屏幕、唱片、录音机磁头上易于附着灰尘等现象，这都是我们日常生活中经常体验到的静电现象。在一般工业生产中，静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点，设备或人体上的静电位最高可达数万伏以至数十万伏；在正常操作条件下也常达数百至数千伏。这要比市用低压电220V、380V高得多。但所积累的静电量却很低，通常为毫微库仑（nC 、10-9C）级；静电电流多为微安（μA、10-6A）级；作用时间多为微秒（μS、10-6S）级，所以不会对人体造成伤害。静电受环境条件，特别是湿度的影响比较大；静电测量时复现性差、瞬态现象多。就电子元器件的生产及电子设备的装联、调试作业而言，因接触磨擦起电、人体静电与接地问题能造成很大经济损失。初步研究发现，磨擦起电、人体静电乃是电子、微电子工业中之两大危害源。随着电子工业的迅速发展，静电危害正在日益表露出来并逐渐受到人们的重视。二． 电子工业静电的危害形式1． 静电吸附　　常常产生工作服吸尘埃污物，仪器仪表吸灰尘，PC机软盘、软驱吸尘损坏，　DDC软体、自调软体数据丢失。2． 静电放电引起的器件击穿　　由ESD（静电放电）引起的元器件击穿损坏是电子工业，特别是电子产品制造业中最普遍、最严重的静电危害。在电子产品的生产中，从元器件的预处理、插装、焊接、清洗、单板测试、调试、总装等工序，由于接触－分离、摩擦、感应等作用，都会使操作人员、工具、工作台面、元器件、元器件包装容器等产生静电，同时可随时对器件造成ESD损害。　　当带静电的物体接触SSD（静电敏感元器件，如MOS管、IC等元件），就会发生静电放电。这种极短时间（μS级）的突发脉冲，平均功率达几瓦，足以熔化小体积的硅，并在管芯的表面留下熔坑；ESD电流还会引起局部过热，造成PN结熔断，使器件参数退化或失效，造成引线（铝条）的熔化而开路、造成半导体电路芯片的薄膜电阻熔断或阻值变化。近年来，在电子器件中，CMOS集成电路，因其消耗功率小，抗干扰能力强及工作电压范围广等优点，应用很广泛。它是互补型的“金属－氧化物－半导体”结构，其栅极下氧化层的耐压限值约为100～500伏。而在一系列的生产流程中，操作人员可能带上几千伏甚至几十千伏的静电，当他们一接触到CMOS器件，就会击穿氧化层，造成器件的永久性失效或留下隐患。　　几种敏感元件的敏感电压见下表：元件名称? ? ? ? 敏感电压(V)MOS场效应管? ? ? ? 100～200结型场效应管? ? ? ? 140～700CMOS集成电路? ? ? ? 250～2000TTL集成电路? ? ? ? 300～2500ECL（逻辑线）? ? ? ? 500～15003． 静电感应　　当导体和电介质置于静电场中，在其上感应出正或负的静电荷，其静电电压的幅值取决于静电场强度。所以静电敏感区内不得放置产生强电场和强磁场的设备，如：大功率风扇等。4．静电放电时产生的电磁脉冲　　静电放电可产生频带几百千赫兹～几十兆赫兹、电平高达几十毫伏的电磁脉冲干扰，当脉冲干扰耦合到计算机和低电平数字电路时，致使电路发生翻转效应，出现误动作。强能量的脉冲干扰，可使静电敏感器件破坏。像1971年11月15日西欧发射的“欧－2火箭”，就是因静电放电产生的电磁脉冲导致计算机误动作，使此次发射失败。三． 电子生产环境中的典型静电源（一） 人体静电? ???人体静电的产生方式，主要有接触起电，感应起电和迁移吸附起电。接触起电是一种最普遍的起电形式。它的基本原理是物质间的电子转移，当两种物质相互接触其间距小于25×10-8厘米时，就会发生电子转移。其中逸出功较低的物质失去电子而呈现正电位，逸出功较高的物质得到电子而呈现负电位。即在两种物质的接触面上形成“偶电层”并产生接触电位差。当该两种物质分离时，其上部分电荷回流，但仍然残留有符号相反的电荷。即产生了静电。人们在生产活动中，人体与物体，皮肤与衣着，鞋底与地面之间不断地产生接触－分离过程，就会产生静电。比如，羊毛混纺衣服，并坐在人造革面椅子上的人突然起立时，人体可带上近万伏的高压静电。人体感应起电的基本原理是静电感应。由于人体是导体，所以当人接近已带电的物体（或人）时，人体两侧会感应出正负两种电荷。通过接触接地设备，可将其中与原带