国勤益科技大学电子工程系.pdfVIP

99 年度 第 124組 國立勤益科技大學電子工程系 日四技實務專題報告 利用奈米蕭特基元件解決超淺介面之研究 Solve shallow junction issue for nano device 班級 四子四甲 : 組員：趙柏芳、許冠宇 指導教授：游信強老師 中華民國 99 年 1 月 I [摘要] 現在製程方式以 BULK和 SOI 為主，但是新技術 SOI 比 起 BULK 來說，各種電性都比較優良，不過最大的缺點就是 成本太高，價格太貴，因為這個缺點，所以大部分還是都採 用 BULK 製程方式，所以我們這個研究是想要改善BULK 的缺點，看能否用最低的成本來得到最好的效能，我們採用 NiSi化合物跟 TiSi化合物兩種不同的金屬來做 S/