西工大电工电子第4章半导体器件.ppt

B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电结 发射结 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 实验电路 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 4.3.2 放大作用 结论： 1. IE = IB ＋IC 2. 3. 要使三极管能放大电流，必须满足内部条件：发射区多数载流子的浓度远大于基区多数载流子的浓度，基区要很薄；必须满足外部条件：发射结加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压（反向偏置） 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?-0.2~-0.3V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.6V，锗管0.2V 4.3.3 特性曲线 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IC=?IB称为线性区（放大区） 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB 线性放大区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区 饱和区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB=0, IC=ICEO, UBE 死区电压，称为截止区。 截止区 输出特性三个区域的特点: （1）放大区：发射结正偏，集电结反偏 即： IC=? IB , 且 ?IC = ? ? IB （2）饱和区：发射结正偏，集电结正偏 即：UCE?UBE ， ? IBIC，UCE?0.3V （3）截止区：发射结反偏 即：UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 4.3.4 主要参数 静态电流放大系数： 基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则动态电流放大系数为： 1. 电流放大系数 和? 计算中，一般作近似处理： = ?，常用值为50～200 2. 集-基极反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结在反向偏置电压作用下，集-基极间的反向漏电流 ICBO越小，晶体管工作稳定性越好 3. 集-基极反向截止电流ICEO 基极开路时，集电结处于反向偏置和发射结处于正向偏置时，集-射极间的穿透电流 ICEO越小，晶体管越好，受温度影响大，晶体管温度特性差 4. 集电极最大电流ICM 5. 集-射极反向击穿电压U（BR）CEO 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 动画：晶体管特性实验电路 4.4 绝缘栅场效应管 场效应管与晶体管不同，它是电压控制元件，输出电流取决于输入电压；输入阻抗高，温度稳定性好 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管 IGFET 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 MOS绝缘栅场效应管（N沟道） 4.4.1 基本结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 N导电沟道 未预留? N沟道增强型 预留? N沟道耗尽型 P N N G S D N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 G S D 4.4.2 工作原理 1）uGS 对导电沟道的影响 （uDS = 0） a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背 的 PN 结 b. 当 0 UGS UGS(th)（开启电压）时，GB 间的垂直 电场吸引 P 区中电子形成离子区（耗尽层） c. 当 uGS ? UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚 反型层 (沟道) 2） uDS 对 iD的影响（uGS UGS(th)） DS 间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄 预夹断（UGD = UGS(th)）：漏极附近反型层消失 预夹断发生之前： uDS? iD? 预夹断发生之后：uDS? iD 不变 1. 转移特性曲线 2 4 6 4 3 2 1 uGS /V iD /mA UDS = 10 V UGS (th) 当 uGS UGS(th) 时： uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 2