如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能.PDF

电力电子 CD技术与应用 POWER ELECTRONIC 广州金升阳科技有限公司 摘要：本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET 损耗特点，提出了优化方法；并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。 文章编号：160210 图4辐射骚扰水平极化方向测试结果 如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能 图1MOSFET截止-导通波形转换 How to reduce MOSFET losses and improve EMI performance 图5辐射骚扰垂直极化方向测试结果 1 引言 持截止时高电平不变，从图1可以看出，此部分有 MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被VDS与ID有重叠，MOSFET功耗增大。 大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成 t2-t3区间：从t2时刻开始，漏源电压VDS开 并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模始下降，引起密勒电容效应，使得栅极电压不能 块电源的功率；但是一味的减少MOSFET的损耗上升而出现平台，t2-t3时刻电荷量等于Qgd，t3 图2MOSFET导通-截止波形转换 及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问 时刻开始漏极电压下降到最小值；此部分有VDS 题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少 与ID有重叠，MOSFET功耗增大。 图6辐射骚扰水平极化方向测试结果 MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。 t3-t4区间：栅极电压从平台上升至最后的驱 　　　 动电压（模块电源一般设定为12V），上升的栅压 2 开关管MOSFET的功耗分析 使导通电阻进一步减少，MOSFET进入完全导通 MOSFET的损耗主要有以下部分组成：1.通 状态；此时损耗转化为导通损耗。 态损耗；2.导通损耗；3.关断损耗；4.驱动损耗； 关断过程与导通过程相似，只不过是波形相 5.吸收损耗；随着模块电源的体积减小，需要将开 反而已；关于MOSFET的导通损耗与关断损耗的 关频率进一步提高，进而导致开通损耗和关断损 分析过程，有很多文献可以参考，这里直接引用 耗的增加，例如300kHz的驱动频率下，开通损耗《张兴柱之MOSFET分析》的总结公式如下。 和关断损耗的比例已经是总损耗主要部分了。 图3反激开关电源一般框图 图7辐射骚扰垂直极化方向测试结果 MOSFET导通与关断过程中都会产生损耗，