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TCAD 仿真;主要内容;TCAD仿真软件简介;ISE TCAD 基本仿真流程; 工艺仿真 DIOS ;工艺仿真;工艺仿真;Title(IGBT, NewDiff=1,SiDiff=on) Grid (x=(0.0,18.0), y=(-10.0,0), nx=8) comment(sub) Substrate (orientation=100, element=P,conc=1.6e14, ysubs=0) replace(control(ngra=10)) graph(triangle=on, plot) ！1d(file=final, xsection(0.1), spe(btot, ptot, netact), fac=-1, append=off) ！save(file=final,type=MDRAW);工艺步骤模拟;工艺步骤模拟;Implant tilt=0，rotation=0;Implant default tilt=7，rotation=-90;工艺步骤模拟;工艺步骤模拟;工艺仿真实例-工艺流程;工艺仿真实例;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;工艺仿真;保存输出文件; Mdraw 在工艺仿真后对电极进行定义 定义结构边界、掺杂、电极及网格优化，生成结构 输出.dat和.grd ;器件描述;器件描述;器件仿真;器件仿真;器件仿真;器件仿真;文件结构 工艺仿真结果导入/器件描述结果导入 电极定义 物理模型定义 数学算法定义 输出内容定义 电压扫描（电流扫描）定义;器件仿真-输入命令;File Section;Electrode Section;Physics Section;Plot Section;可存储物理量I;可存储物理量II;Math Section;Solve Section;输出结果查看;Inspect ;Tecplot;Tecplot;Tecplot;例1：IV特性;续上：IV特性;IV曲线 ;例2：短路特性;1续上：短路特性;2续上：短路特性;短路曲线 ;闩锁失效 ;