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- 2019-04-16 发布于江西
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* * 缺点 由于采用急冷法制备材料,使其厚度受到限制; 热力学上不稳定,受热有晶化倾向。 解决的办法 采取表面非晶化及微晶化 * * 在真空中(1.33×10-4Pa)将材料加热蒸发,所产生的蒸气沉积在冷却的基板衬底上形成非晶态薄膜。 衬底可选用玻璃、金属、石英等; 根据材料的不同,选择不同的冷却温度。 非晶态半导体(Si、Ge)衬底一般保持在室温或高于室温的温度; 对于过镀金属Fe,Co,Ni等,衬底则要保持在液氦温度。 1.真空蒸发法 * * 优点:操作简单方便,尤其适合制备非晶态纯金属或半导体。 缺点:合金品种受到限制,成分难以控制,而且蒸发过程中不可避免地夹带杂质,使薄膜的质量受到影响。 * * 2.溅射法 在真空中,通过在电场中加速的氩离子轰击阴极(合金材料制成),使被激发的物质脱离母材而沉积在用液氮冷却的基板表面上形成非晶态薄膜。 * * 优点:制得的薄膜较蒸发膜致密。与基板的粘附性也较好。 缺点:由于真空度较低(1.33-0.133Pa),因此容易混入气体杂质,而且基体温度在溅射过程中可能升高,适于制备晶化温度较高的非晶态材料。 * * 3.液体急冷法 将液体金属或合金急冷获得非晶态的方法统称为液体急冷法。 可用来制备非晶态合金的薄片、薄带、细丝或粉末。 研究阶段:液体急冷法制备非晶态薄片。 * * 工业上实现批量生产:
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