单极型场效应管及其放大电路课件.pptVIP

下载本文档

0
0
约小于1千字
约 43页
2019-04-18 发布于贵州
举报
版权申诉

单极型场效应管及其放大电路课件.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

(Field Effect Transistor);N沟道;4.2 结型场效应管(JFET);结构示意图 ; 源极，用S或s表示;偏置电压的要求： 1 )栅-源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使栅-源极间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达107?左右)。 2)漏-源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD。在上述两个电源的作用下,iD的大小主要受栅-源电压vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。;(1) VGS对沟道的控制作用 (假设vDS=0);(2) VDS对沟道的控制作用;(3) VGS和VDS同时作用时;综上分析可知;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;① 夹断电压VP (或VGS(off))：; 4.2.4 JFET的主要参数;4.3 绝缘栅场效应管; 当栅源之间加上正向电压，GB 间产生垂直电场，排斥P 区中的空穴形成离子区(耗尽层)，同时吸引 P 区中的少子电子到衬底表面；;v;v;(1) 输出特性及电流方程;（2）转移特性曲线;4.4.1 基本结构 ;输出特性;增强型;综上分析可知;N 沟道增强型;O uDS /V; （1）JFET的vGS不能接反，开路保存，d、s可以互换；;1）各极和组态对应关系;4.6 场效应管放大器及其静态分析;+ vi -;2）自偏压电路;3）分压式自偏压电路;4.7 场效应管的微变等效电路分析法;（2）高频模型;1. 分压式自偏压共源极放大电路 ;（2）动态指标分析 ;2. 共漏极放大电路 ;（2）动态指标分析 ;+;（2）动态指标分析 ; 例5.4.2 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。;（4）输出电阻;3. 三种基本放大电路的性能比较;输出电阻：