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- 2019-04-29 发布于浙江
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结及其单向导电性 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数,? 基区:最薄, 掺杂浓度最低 发射区:掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点: 集电区: 面积最大 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 晶体管电流放大的实验电路 设 EC = 6 V,改变
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