晶体管和场效应管工作原理详解.pptxVIP

;;B;;;;;;IB=IBN+IEP-ICBO?IBN;图 晶体管内部载流子运动与外部电流;二、晶体管的电流分配关系;为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数为 ;确定了 值之后，可得;为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为 ; 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得;BJT的三种组态;IC;一、共发射极输入特性;;二、共发射极输出特性曲线;IC(mA );1放大区 e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。在放大区有以下两个特点： (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量ΔIB时， iC就会有很大的变化量ΔIC。为此，用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制能力。β定义为 反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。 ; (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为，iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效应。从另一方面看，由于基调效应很微弱， uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。 ;IC(mA ); 2饱和区 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。 ;IC(mA );放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;USB =5V时:;前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。;例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;共基极直流电流放大系数 和交流电流放大系数  由于ICBO、ICEO都很小，在数值上β≈ ,α≈ 。所以在以后的计算中，不再加以区分。 β值与测量条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，β值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，β值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意β值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。;2.集-基极反向截止电流ICBO;;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;图 温度对晶体管输入特性的影响;图 温度对晶体管输出特性的影响;1.3.6 光电三极管;1.3.6 光电三极管;§ 1.4 场效应管;;① VGS对沟道的控制作用;当VGS=0时，VDS? ? ID ?;当VP VGS0 时，; 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型管。;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;① 夹断电压VP (或VGS(off))：;⑤ 直流输入电阻RGS：;;1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。;MOS场效应管;一、N沟道增强型MOS场效应管结构; 当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当VGS=VT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。;漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用;当VDS增加到使VGD=VT时，;iD=f(vGS)?vDS=C ;一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构; 当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。 当VGS＞0时,将使iD进一步增加。 当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。;输出