广工半导体物理与器件总复习1.pptVIP

载流子的散射 因为载流子在运动过程中受到散射 电离杂质散射 晶格振动散射 中性杂质散射 位错散射 合金散射 等同的能谷间散射 三. 迁移率与杂质和温度的关系 散射几率，平均自由时间和温度的关系： §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电离杂质散射 声学波散射 光学波散射 任何情况下，几种散射机制都会同时存在 §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4. 半导体的电阻率（或电导率）与那些因素有关 n型半导体 p型半导体 本征半导体 电阻率与载流子浓度与迁移率有关，二者均与杂质浓度和温度有关。 二.例题 例题1 Ge样品， 掺有1022m-3受主，试求室温时样品的电导率。再掺入5?1022m-3施主后，求室温时样品的电导率。 查图4-14（b）可知，这个浓度下，Ge的迁移率 又查图3-7可知，室温下Ge的本征载流子浓度 查图4-14（b）可知，这个掺杂浓度下，Ge的迁移率 为1500 cm2/( V.S) ，属强电离区，所以电导率为 掺入5?1022m-3施主后 总的杂质总和 为3000 cm2/( V.S), 第五章 非平衡载流子 一、基本概念 1。过剩电子，过剩空穴，过剩载流子（非平衡载流子），非平衡载流子的寿命？ 过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度 过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度 过剩载流子：过剩电子和空穴的总称 过剩载流子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间。 2。小注入和大注入 小注入：过剩载流子的浓度远小于热平衡多子浓度的情况 大注入：过剩载流子的浓度接近或大于热平衡多子浓度的情况 3.什么是准费米能级？ 在非平衡状态下，由于导带和价带在总体上处于非平衡，因此就不能用统一的费米能级来描述导带中的电子和价带中的空穴按能量的分布问题。但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自的能带中处于准平衡分布，可以有各自的费米能级 称为准费米能级，准费米能级分离的程度，即 的大小，反映了与平衡态分离的程度 5.3准费米能级 非平衡状态下 5 .什么是载流子的扩散运动？写出电子和空穴的扩散电流密度方程 当半导体内部的载流子存在浓度梯度时，引起载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散，扩散运动是载流子的有规则运动。 电子扩散电流密度： 空穴扩散电流密度： 扩散系数反应了非平衡少子扩散能力的大小 达到稳态分布，即空间任一点，单位体积内的载流子数目不随时间变化，则由于扩散，单位时间单位体积内累积的载流子数目等于复合掉的载流子数目。 上述两个方程的解： 5.6 载流子的扩散运动 二、基本公式 1. 漂移电流密度公式： 2.扩散电流密度公式 3. 3.爱因斯坦关系: 4. 连续性方程 连续性方程反映了半导体中少数载流子运动的普遍规律，它是研究半导体器件原理的基本方程之一。 连续性方程应用举例： 常见的特殊条件下的方程的简化： 1、稳态： 2、无浓度梯度或无扩散电流 5.8 连续性方程 3、无飘移电流或无电场 4、无复合 5、无外界作用 5.8 连续性方程 三.例题 例题2 在一块n型GaAs半导体中，T=300K时，电子浓度在0.10cm距离内从1?1018cm-3到7?1017cm-3线性变化。若电子的扩散系数为Dn=225cm2/s,则电子的扩散电流密度 例1、光激发的载流子的产生: 保持温度在室温下，均匀施主掺杂的硅片在t=0时突然受到光照，在半导体内部均匀产生非平衡载流子，假设ND=1015/cm3，τp=10-6s，整个半导体内单位时间，单位体积内光诱导产生的电子-空穴数为1017个，在t0时，求△p(t)？ 例2、光激发的载流子的衰减: 均匀半导体，光照后在内部均匀产生非平衡载流子△p，无电场，求光照停止后非平衡少子的变化规律？ 例3：非平衡载流子的扩散（1） 在稳态条件下，保持室温不变时，均匀掺杂的n型硅棒，有?p (0)= ? p00, 另一边无限长，即? p(无穷远)=0。 ND=1015/cm3, ? p0n0. 并且在硅棒的侧面没有其它的过程（包括光产生）发生。试确定? p(x)的分布 例4：非平衡载流子的扩散（2） 在稳态条件下，保持室温不变时，均匀掺杂的n型硅棒，光照在体内均匀产生非平衡载流子，一端接地?p (0)= 0， 另一边无限长。 ND=1015/cm3, ? p0n0. 试确定? p(x)的分布 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，