电工学第七版第14章半导体课件上.pptVIP

(14-*) 3. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要是利用它的单向导电性，它可应用于整流、检波、限幅、保护等等。 (14-*) U I 导通压降 实际二极管：正向导通 ---- 硅 0.6~0.8V 锗 0.2~0.3V 死区电压 ---- 硅 0.5V 锗 0.1V 定性分析：判二极管的工作状态 ---- 导通、截止 二极管电路分析 死区电压 (14-*) 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 导通压降 硅0.7V 锗0.2V U I (14-*) 二极管电路分析 分析方法： 1. 断开二极管 2. a) 分析其两端电位高低， b) 或其两端所加电压 UD 的正负。 3. a) V阳 V阴 → 导通 V阳 V阴