数字电子技术基础简明教程第章集成运算放大器.pptVIP

第五章 集成运算放大电路 5.1 集成放大电路的特点 5.2 集成运放的主要技术指标 5.3 集成运放的基本组成部分 1、基本形式差分放大电路 差模电压放大倍数 Ad Δuo = Δuc1 – Δuc2 = 2 Δuc1 1 2 = 2· Au1Δui Δuc1 = - Δuc2 = 1 2 Au1Δui 牺牲一个放大管的放大倍数换取对零点漂移的抑制， 但不理想，因电路不可能完全对称， 单端输出时失去对零点漂移的抑制能力。 Δuo Δui = Au1 Ad = 共模放大倍数 Ac = Δuo Δuic 共模抑制比 差模放大倍数 共模放大倍数 KCMR越大，说明差放分辨 差模信号的能力越强，而抑制 共模信号的能力越强。 共模抑制比 + - uo + - + - + - uid uid uid 1 2 1 2 +VCC R R Rc Rc VT1 VT2 -VEE Re 2. 长尾式差分放大电路 引入共模负反馈 降低单管零点漂移 提高了共模抑制比 补偿Re 上的直流压降，提供静态基极电流 (1) 电路组成 + - uo + - + - + - uid uid uid 1 2 1 2 +VCC R R Rc Rc VT1 VT2 -VEE Re (2) 静态分析 IBQR + UBEQ + 2 IEQRe = VEE VEE - UBEQ R + 2(1+ β) Re VCC - ICQ Rc βIBQ - IBQ R IB IB IC IC UC UC + - UBE UBE + - 2IE UB （3） 动态分析 Ad = ?uo ?uI = Au1 Ad = - R+ rbe （Rc // ） 1 2 RL β Rid = 2 （R + rbe ） Ro = 2 Rc + - ?uo ?uI1 R Rc Rc VT1 VT2 ?uI2 R RL 1 2 RL 1 2 + - ?ui ?uc2 ?uc1 + ?uI1 R Rc VT1 RL 1 2 ?uc1 - ?uo =2?uc1 ?ui =?uI1 - ?uI2 =2?uI1 [例5.3.3]在长尾式差分放大电路中常接入调零电阻Rw确保静态时输出为零，如右图所示。 静态分析： IBQ= VEE - UBEQ R + (1+ β)（ 2Re +0.5 Rw ) UCQ = VCC - ICQ Rc ICQ ≈ βIBQ UBQ = - IBQ R IBQR + UBEQ + IEQ （ 2 Re +0.5 Rw ) = VEE + - uo uI2 +VCC R R Rc Rc VT1 VT2 -VEE Re 接Rw的长尾式差分放大电路 Rw RL uI1 动态分析： + ?uI1 R Rc VT1 RL 1 2 ?uc1 - 0.5Rw Ad = ?uo ?uI = Au1 Ad = - R+ rbe + （Rc // ） 1 2 RL β Ro = 2 Rc ?uI1= （R+rbe） ib+ 0.5Rw ie ?uc1= （Rc // ） 1 2 RL βib （1+ β） Rw 2 Rid = 2 [R+ rbe + （1+ β ） Rw 2 ] + - ?uo ?uI1 R Rc Rc VT1 VT2 ?uI2 R 交流通路 RL 1 2 RL 1 2 0.5Rw 0.5Rw 3.恒流源式差分放大电路 用恒流三极管代替阻值很大的长尾电阻Re ， 既可有效抑制零漂，又便于集成。 （1） 电路组成 + - uo uI2 +VCC R R Rc Rc VT1 VT2 -VEE RL uI1 I 简化表示法 恒流源式差分放大电路 + - uo uI2 +VCC R R Rc Rc VT1 VT2 -VEE Re Rb1 RL uI1 Rb2 VT3 * * 第一节 集成放大电路的特点 集成电路的发展 集成电路的分类 集成放大电路的主要特点 一、集成电路的发展 集成电路简称IC(Integrated Circuit)， 是20世纪60年代初期发展起来的一种半导体器件， 它是在半导体制造工艺基础上， 将各种元器件和连线等集成在一片硅片上而制成的， 因此密度高、引线短、外部接线大为减少， 提高了电子设备的可靠性和灵活性，同时降低了成本， 为电子技术的应用开辟了一个新的时代。 人们经常以电子器件每一次重大变革作为衡量电子技术发展的标志。 将1904年出现的电真空器件（如真空三极管）称为第一代， 1948年出现的半导体器件（如半导体三极管）称为第二代， 1959年出现的集成电路称为第三代， 1974年出现的大规模集成电路称为第四代。 随着集成工艺的发展，电子技术已经日益广泛地应用于人类