第2章3极型晶体管.pptVIP

2.4 双极型晶体管 双极晶体管即三极管，是集成电路的主要有源器件之一。 由两个相距很近的PN结组成，具有放大作用，即两个独立PN结有本质区别。 分为：NPN和PNP两种形式 放大原理、晶体管模型、基本模型参数 理想化的本征结构 2.4.1 直流放大原理1.双极晶体管结构 （1）双极晶体基本管结构 （2）实际结构和杂质分布 （3）偏置方式 正向放大：发射结正偏，集电结反偏 反向放大：发射结反偏，集电结正偏 截止状态：发射结反偏，集电结反偏 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏 （4）晶体管电路连接方式 根据公共端不同，分为三种： 共基极、共射极、共集电极 共基极有助理解晶体管放大作用的物理过程，而共发射极具有较大的放大能力，应用较广。 2 直流电流传输过程 （1）双极晶体管直流电流传输过程 发射区向基区注入的电子远大于基区的平衡少子电子的数量，，因此在发射结的基区一侧边界就有非平衡少子的积累，形成非平衡少子电子在基区的扩散运动。 根据上述分析，在发射结正偏、集电结反偏时，晶体管内部的电流传输如图所示： 3 双极晶体管直流电流增益 （1）发射效率与基区输运系数： 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度 基区宽度尽量小，基区中非平衡少子的寿命尽量大。 注入效率? 基区输运系数β* 直流电流的理论表征 第一项是发射区多数载流子电流与发射极总电流的比值