Mn掺杂ZnS110表面的电子结构和磁性-计算物理.PDF

第29卷第2期 计 算 物 理 V01．29．No．2 CHINESE OFCOMPUTATIONALPHYSICS Mar．。2012 2012年3月 JOURNAL 文章编号：1001-246X(2012)02-0277—08 1 Mn掺杂ZnS(10)表面的电子结构和磁性 宋德王1， 牛 原1， 肖黎鸥2， 李 丹1 (1．北京交通大学物理系，北京100044；2．北京交通大学材料科学与工程研究所，北京100044) 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，研究Mn掺杂ZnS(110)表面的电子结构和磁性．计算分析 不同掺杂组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度．结果表明：单个Mn原子掺杂，替位于表 面第二层的zn原子时体系形成能最低，说明该层是最稳定的掺杂位置．对于两个Mn原子的掺杂，当Mn与Mn 之间呈反铁磁耦合时体系最稳定．体系的总磁矩和自由Mn原子的磁矩差别很小，但是Mn原予的局域磁矩却依 赖于Mn原子的3d态和近邻s原子的3p态的杂化作用，即受周围S原子环境的变化影响较大．此外，分析电荷 密度图得出Mn原子替换zn原子后与s原子形成了更强的共价键． 关键词：ZnS(110)表面；．Mn掺杂；第一性原理；稀磁半导体 中图分类号：0469 文献标识码：A 0 引言 近年来，在半导体自旋电子器件中有着重要应用的稀磁半导体(DMS)备受人们的关注和研究¨。。．由 于存在磁极子的局域磁矩与施主载流子的相互作用，DMS产生出许多新颖的磁光和磁电效应．这些效应在 制造半导体自旋量子器件、高密度非易失性存储器、磁光感应器等领域拥有比传统的半导体更广阔的应用前 景．此外，DMS具有很高的自旋注入效率，是制造自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋阀等新型自旋 电子器件的理想材料¨“o． 实经表面钝化处理的纳米ZnS：Mn能够显著提高半导体的发光效率，董国义等¨叫采用微波吸收法证实Mn 体系最稳定且体系总磁矩的大小不随Mn原子所处的环境不同而改变．然而，迄今为止，对ZnS：Mn的研究 排的典型代表，其掺杂Mn的研究可以帮助深入了解该材料的物理性质和化学性质，具有重要意义．本文利 的电子结构和磁性，并预测了Mn掺杂ZnS(110)表面成功获得DMS的可能性． 1 理论模型和计算方法 1．1理论模型 常见的ZnS呈闪锌矿型结构，空间点群为F43m(216)，晶格常数o=b=c=5．409 周围分布着4个最近邻的zn原子并与其呈四面体结构．晶胞优化后zn．S键的键长为2．395A，与实验值相 当接近．超级原胞采用slab模型构建，如图1所示，一共选取12层原子层，真空层厚度取为10A以消除周 收稿日期：2011—04—06；修回日期：2011一07—30 278 计 算 物 理 第29卷 期性slab之间的相互作用。1、2、3和4分别为Mn原子替换 zn原子所选取的四种位置，S1、s2分别表示第一层和第二 层的S原子．掺杂时，磁性Mn原子直接取代表面的zn原 子．考虑到掺杂位置的复杂多样性，这里选取了七种典型 的组态．为方便叙述，分别命名为Al～A7，其中A1、A2、A3 表示在1、2、3三种位置分别掺杂一个Mn原子的组态，A4、 A5为1、2位置同时掺杂Mn原子的铁磁态(FM)与反铁磁 态(AFM)组态，A6、A7则对应于1、4位置同时掺杂Mn原 子的FM与AFM组态．作为对比，纯净(clean)未掺杂的 ZnS(110)表面也参与计算．选取的掺杂位置均处于表面 数层，这是因为实验中掺杂离子总是从表面开始掺杂的． 1．2计算方法 ab—initio 计算采用的是基于密度泛函理论的Vienna simulation package(VASP)软件包¨“，电子和离子之间的相 互作用选择投影缀加波(PAw)的赝势处理方法Ⅲ1，交换 关联势采用广义梯度近似(GGA)’1“，平面波截断能(E。) 取为500eV，自