第1章 电力电子器概述53995.ppt

* * * * * 第三周 * 第四周 * 9.29 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 t O i b 图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形 (2) GTR 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 图1-31　GTR的一种驱动电路 驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。 为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。 2) 电压驱动型器件的驱动电路 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 (1) 电力MOSFET的一种驱动电路： 电气隔离和晶体管放大电路两部分 图1-32　电力MOSFET的一种驱动电