第1讲 绪和二极管.pptVIP

第一章 半导体器件 第二章 基本单元电路 第三章 多级放大电路与频率响应 第四章 集成运算放大器 第五章 功率放大电路 第六章 放大电路中的反馈 第七章 集成运算放大器的应用 第八章 信号发生电路 第九章 直流稳压电源 2 伏安特性曲线 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uon iD = 0 Uon = 0.5~0.7 V 0.1~0.3 V (硅管) (锗管) U ? Uon 0 ? U ? Uon UDQ = (0.6 ? 0.8) V 硅管取 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管取 0.2 V 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 (反向击穿) Uon ：开启电压或死区电压 死区电压 1.正向特性 2.反向特性 U(BR) U 0 U U(BR) 工作电压 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA Uon 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1?A(硅) 几十?A(锗) U U(BR) PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时反向电流急剧增大 (反向击穿) 死区电压 1.反向特性 三、环境温度对伏安特性曲线的影响 当温度升高时，正向特性曲线左移。 反向饱和特性曲线下移。 其变化规律为 四、二极管的主要参数 1 最大整流电流 3 最大反向工