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2019-07-06 发布于天津
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上海双岭电子有限公司 SHANGHAI DOUBLE-PEAK ELECTRONICS LTD 地址：上海莘朱路1021号电话：021网址： HYPERLINK 邮编:201100 上海双岭电子有限公司 3DO1型MOS场效应晶体管用途：阻抗变换、小信号放大结构：硅平面型、金属气密封装、执行标准及质量等级: ▲Q/YXGD2-2012 ▲QZJ84012、GB/T4589.1-2006 1.极限参数参数名称符号数值单位工作环境温度 TA -55～+125 ℃ 贮存温度 TSTG -55～+175 ℃ 最大耗散功率 Ptot 100 mW 最高有效结温 TVj 175 ℃ 2.电参数参数名称测试条件规范值单位最小值最大值栅-源击穿电压V(BR)GSS VDS=0V IGS≤1uA |-25| V 源-漏击穿电压V(BR)DSS VGS= VGS（off）+(-1)V IDS=1uA 25 V 栅极截止电流IGSS VDS=0V VGS=-10V -10 nA 栅极截止电压 VGS（off） D．E．F VDS=10V IDS=10uA |-4| V G．H |-9| V 漏极饱和电流IDSS VDS=10V VGS=0V 0.05 10 mA 小信号短路正向跨导gfs VDS=10V IDS=3mA f=1kHz 1000 μS 小信号短路输入电容Ciss VDS=10V VGS=0V f=500kHz 5 pF 小信号短路反馈电容Crss VDS=10V VGS=0V f=500kHz 1.5 pF 噪声系数F（RG=10MΩ） VDS=10V IDS=0.5mA f=1KHz 3 dB 3.参数\档级漏极饱和电流IDSS (mA) D:0.05-0.35 E:0.3-1.2 F:1-3.5 G:3-6.5 H:6-10 4.外形顶视图