西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践第五章 物理气相淀积.pptVIP

第五章  物理气相淀积 物理气相淀积—PVD(physical vapor deposition)—利用某种物理过程（蒸发或溅射），实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，淀积成薄膜。 淀积特点：物理过程 技术： ①真空蒸发：优点：淀积速率较高，相对高的真空度，薄膜质量较好 缺点：台阶覆盖能力差，淀积多元化合金薄膜时，组分难以控制。 ②溅射：优点：化学成分易控制，淀积薄层与衬底附着性好。 5.1 真空蒸发的基本原理 材料的三态：solid，liquid，gas； 蒸气：任何温度下，材料表面都存在蒸气； 蒸气压：平衡时的饱和蒸气压； 升华：低于熔化温度时，产生蒸气的过程； 蒸发：熔化时，产生蒸气的过程； 真空蒸发： 利用蒸发材料熔化时产生的蒸气进行薄膜淀积； 优点：工艺及设备简单，淀积速率快； 缺点：台阶覆盖差，薄膜与衬底附着力较小，工艺重复性不够理想。 5.1.1 真空蒸发设备 ①真空系统-为蒸发过程提供真空环境； ②蒸发系统-放置蒸发源的装置，以及加热和测温装置； ③基板及加热系统-放置衬底，对衬底加热及测温装置等。 蒸发淀积过程 ①加热蒸发：加热蒸发源（固态），产生蒸气； ②输运：气化的原子、分子扩散到基片表面； ③淀积：气化的原子、分子在表面凝聚、成核、生长、成膜； 5.1.2 汽化热和蒸汽压 汽化热△H—使蒸发源