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PAGE PAGE 14 半导体二极管 三极管 电工理论篇 二0一五六 目 录 第一章 半导体的基本知识…………………………………………2 第二章 PN结………………………………………………………4 第三章 半导体二极管………………………………………………5 第四章 稳压二极管…………………………………………………8 第五章 半导体三极管………………………………………………9 第一章 半导体的基本知识 对于学习元器件来说，重点是要放在它的特性、参数、技术指标及正确使用的方法上；不要过分考究它的内部机理。讨论器件的目的是在于应用。 要学会用宏观的观点来分析问题，就是要根据实际的情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法来获得具有实际意义的结果。 在对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要太过于考究精确的数值。 半导体器件是非线性的、它的特性具有分散性、电路中R、L、C的值也是有误差、在工程上允许有一定的误差，所以要学会采用合理的估算方法。 一、半导体的基础知识 半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。可借此做成感温元件，如热敏电阻。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。可借此做成感光元件，如光敏电阻、光敏二、三极管。 掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。可借此做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管等。 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。如图1、2。 图1 图2 共价健中的两个电子，称为价电子。 本征半导体的导电机理： 价电子在获得一定能量（如温度升高或受到光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价健中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于下电荷的移动）。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： （1）自由电子作定向运动→电子电流； （2）价电子递补空穴→空穴电流。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 2、N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子。如图3。 掺入五价元素： 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 图3 图4 掺入三价元素： 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 第二章 PN结 一、PN结的形成 PN结的形成如图5。 空间电荷区就称为PN结。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 图5 二、PN结的单向导电性 1）PN结加正向电压（正向偏置），即P接电源正端、N接电波负端。如图6。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 2）PN结加反向电压（反向偏置），即P接电源负端、N接电波正端。如图7。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 图6 内电场被加强，少子的漂移加强，由 于少子数量很少，形成很小的反向电流。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 图7 第三章 半导体二极管 一、基本结构 1、点接触型： 2、面接触型： 结面积小、结电容小、正向电流