北京工业大学电子信息材料第5章 非平衡载流子.pdf

半导体材料物理 (2013.4.16 ~ 2013.6.6) 材料科学与工程学院 王如志 1 第五章 作业 1. 何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？ 2. 稳定光照下，半导体中的电子和空穴浓度维持不变，半导体处 于平衡状态下吗？为什么？ 3. 漂移运动和扩散运动有什么不同？ 4. 漂移运动与扩散运动之间有什么联系？非简并半导体的迁移率 与扩散系数之间有什么联系？ 5. 平均自由程与扩散长度有何不同？平均自由时间与非平衡载流 子的寿命又有何不同？ 6. 导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。 7. 试论述引入准费米能级的机制。 1. 载流子漂移速度、迁移率及散射 2. 迁移率、电阻率与杂质温度关系 ① 电离杂质的散射 ② 晶格散射 ③ 其它散射 3. 强电场效应 4. 霍尔效应、磁阻效应 能 非热平衡态 量 热平衡态 能量 （外场） 非平衡态：系统对平衡态的偏离。 对于处于非平衡态的半导体，载流子偏离平衡浓度。 相应的： n=n0+ ⊿n p=p0+ ⊿p 且 ⊿n = ⊿p 非平衡载流子： ⊿n 和⊿p （过剩载流子） 1. 非平衡载流子的产生及寿命 2. 准费米能级 3.复合理论 4. 陷阱效应 5.扩散、漂移及爱因斯坦关系 6.连续方程 1. 非平衡载流子的产生和寿命 非平衡载流子的产生 1．光注入 用波长比较短的光 h  Eg  照射到半导体 2 ．电注入 1. 非平衡载流子的产生和寿命 3 ．非平衡载流子浓度的表示法 光激发增加了电子与空穴的浓度，使 其超过了热平衡时的值(n ,p ) ，新增 o o 产生的非平衡载流子（非子）一 加的载流子称为过剩载流子(n , p) 。 般都用n ，p来表示。 达到动态平衡后： 热平衡时，pn=ni2 （平衡状态） n=n +n 存在过剩载流子时， pnn 2 （非 0 i 平衡状态） p=p +p 0 n ，p 为热平衡时电子浓度和空穴浓度 ， 0 0 n ，p为非平衡载流子(非子)浓度。 n=p 1. 非平衡载流子的产生和寿命 n—非平衡多子 n型： p—非平衡少子