碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析.pdfVIP

第36 卷 第 1 期 红 外 技 术 Vol.36 No.1 2014 年 1 月 Infrared Technology Jan. 2014 〈材料与器件〉 碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析 李 龙，孙 浩，朱西安 （华北光电技术研究所，北京 100015 ） 摘要：针对n-on-p 型长波Hg － Cd Te 红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流 1 x x 的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark ＝9 ×10－10 A ， 工作电阻R 9 2 ＝10 ，品质因子R A ＝20 cm 。从仿真分析结果得出，在现有工艺下，Shockley-Read-Hall r 0 （SRH ）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中SRH 复合速率为2 ×1016 3 /scm ， 当表面态到达1×1012 cm－2 ，器件会出现严重的表面沟道。 关键词：长波探测器；碲镉汞；Silvaco；仿真模拟；暗电流 中图分类号：TN215 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2014)01-0073-06 Simulation Analysis of Dark Current in Long Wavelength Infrared HgCdTe Photodiodes LI Long ，SUN Hao，ZHU Xian （North China Research Institute of Electro-optics ，Beijing 100015 ，China） Abstract ：The dark current of n-on-p type LWIR based on Hg － Cd Te has been simulated in this paper. 1 x x Different mechanisms influences dark current are also analyzed. The results of the simulation match well 10 9 with the experiments. The photodetector has a dark current I ＝9 ×10 A ，working resistance R ＝10 ， dark r 2 and quali