太阳能实验室设备配置.doc

一、太阳能实验室具体建设方案 2.1、太阳能光伏电池片生产线 清洗制绒→甩干→扩散→刻蚀→去磷硅玻璃清洗→甩干→PECVD→丝网印刷→高温烧 结→检测分选 名称 （厂家、型号） 技术指标 图片 数量 单价 合计 用途 制绒清洗机 可处理硅片尺寸：max156*156；化学药液加热：室温～100℃±3℃ 1 手动清洗、手动配 液，硅片表面制绒， 多晶包含冷冻机 甩干机 可处理硅片直径：￠150；旋转速度：300～2400r/min；氮气烘干。 1 甩干硅片表面的水 珠 扩散炉 可配工艺管外径：2~8英寸；可配工艺管数量：1~4管/台；恒温区长度及精度：300～1250mm?? 800~1300℃±0.5℃；工作温度范围：400～1300℃；用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺 1 P 扩散和氧化工艺 刻蚀机 额定放片量: 200-500 片/批；适用加工硅片尺寸：125mmX125mm;156mmX156mm；反应室限真空：＜1pa;自动调节真空压力。 1 硅片周边刻蚀 去磷硅 玻璃清洗机 用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。可用于完成扩散前、光刻后、CMP后及氧化前等工艺的清洗工作。 1 清洗硅片表面 石英管清洗机 对石英管吸收层进行腐蚀清洗，并且通过石英管的旋转作用，使石英管腐蚀层均匀， 通过在水槽中的清洗，使石英管表层污物清洗干净。酸洗→排液→注纯水→溢流→注水→水洗→排液 1 清洗扩散炉的石英管 PECVD 每管最大装片量：320片/舟（125*125）?? 52片/舟（156*156）；工艺指标：片内±3%，片间±3%，批间±3%；控制：全进口自动压力闭环调节系统，精准控制反应真空；40KHz AE高频电源；工艺舟软着陆；全数字式控制，完善安全的过程控制保护。 用于淀积氮化硅减反射钝化膜 丝网印刷机 定位方式：视觉定位+光栅定位；印刷面积：Max.210×210（mm）； 网框尺寸：356.4×356.4×25.4（mm）；500×500×25（mm）（可选）；工作台重复定位精度：0.005mm；印刷速度：0-350m。 用于太阳能电池片的正、负电极及电场的印刷 高温烧结炉 太阳能电池（1200*600 *3.2mm板）在生产线中进行连续退火（烧结、固化）的大尺寸腔体专用设备。该类设备还可用于半导体器件的固化、烧结等应用。长期使用温度：900±5℃；网带宽度：400mm 用于太阳能电池正反两面金属喷镀的烘干以及烧结 检测分选机 光谱范围：符合IEC60904-9要求（A级）；辐照强度：100mW/ cm（调节范围70~120mW/cm）；辐照不均匀度：≤±2%；辐照不稳定度：≤±2%；电性能测试误差：≤±1%；单次闪光时间：10ms；有效测试面积：200mm×200mm。 测试太阳能电池片的电性能参数 光学显微镜 放大倍数：7×-45×；观察头：双目头，双目瞳距55mm-75mm；目镜：WF10×，视场直径：20mm；物镜：连续变倍：0.7×-4.5×；变倍比：6.5:1；工作距离：97mm；光源：上下照明，12V10W卤素灯 少子寿命测试仪 少子寿命测试范围 :1μs-6000μs； 可测低阻硅料下限： 0.1Ω.cm, 可扩展到 0.01Ω.cm； 激光波长： 1.07μm； 激光在单晶硅中的贯穿深度： 500μm； 工作频率： 30MHz； 低输出阻抗，输出功率＞ 1W； 电源：～220V 50Hz 功耗＜50W。 四探针测试仪 1)． 测量范围：电阻率：10的-4次方~10的5 次方Ω-cm方块电阻：10的-4次方 ~10的5 次方Ω/□电阻：10的-4次方 ~10的5 次方Ω2)． 可测半导体材料尺寸直径：5mm-130mm长度：≤ 如果使用手持探针，尺寸范围可以延伸 3)． 测量方法：轴向、断面均可 PN 结测试仪 HTC温控器控温范围，室温至85℃；控温精度0.1 电子天平 秤盘尺寸：￠85 mm；校准方式：全自动内校（时间、温度触发）；显示：5.7” 合计:万元 2.2、太阳能光伏组件生产线 名称 （厂家、型号） 技术指标 图片 数量 单价 合计 用途 串焊设备 加热平板温度均匀，整个平板温度差小于±2℃ ；温度控制精度±1℃，温度设定范围20℃-90℃；电池片定位精度± 层压机 工作方式灵活，多重模式自由选择；标准工业控制模式：PLC自动处理，触摸屏实现操作及数据显示；集各种PID运算于一体。精确度高，抗干扰性强；开盖方式：多充气控背开式。 修边、装框 硅片尺寸：15