半导体器件介绍.pptVIP

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Leadership through Innovative Power and Optical Solutions -- Success by Overcoming Constant Challenges. SANKEN ELECTRIC CO.,LTD? 半导体器件介绍 2008年10月3日? <Contents> 准共振电源用IC STR-Y6400?L6400系列 准共振用电源IC                            STR-Y6400/L6400系列 1.STR-Y6400/L6400系列概要 启动电路搭载           待机时消耗功率减少  多模式控制              对应负载状态进行最合适的电源动作 自动待机                空载时Pin<0.1W、外部信号不要 待机动作时抑制变压器杂音    通过Soft On抑制变压器杂音 Bottom Skip              降低开关损耗 Soft Start              降低过渡期间内Power MOS FET的应力 设置消隐时间 去掉了外部的滤波器 保护功能    过电流保护 :OCP???Pulse by Pulse 过负载保护 :OLP???Latch OFF 通过外部参数设置可进行自动重启 !                            非锁定模式对应!    过电压保护 :OVP??? Latch OFF    外部锁定: ELP????Latch OFF 2.封装和Pin配置 1 SoftStart动作/BottomSkip的延迟时间设定/Power Off信号输入 ADJ 7 过电流检测信号/BottomSkip检测信号输入 OCP 6 Bottom检测信号/输入补偿检测输入 BD 5 反馈信号输入/OLP信号输入 FB 4 控制电路电源输入 Vcc 3 MOS FET 源极及GND S/GND 2 MOS FET 漏极及起动电流输入 D/Startup 1 Function Symbol Pin.No FMS207(7L) 高度 15.0mm STR-Y6400系列 引脚间距 2.0mm 3.封装和Pin配置 2 SoftStart动作/BottomSkip的延迟时间设定/PowerOff信号输入 ADJ 10 过电流检测信号/BottomSkip检测信号输入 OCP 9 Bottom检测信号/输入补偿检测输入 BD 8 反馈信号输入/OLP信号输入 FB 7 控制电路电源输入 Vcc 6 MOS FET 源极及GND S/GND 5 MOS FET 漏极及起动电流输入 D/Startup 1~3 Function Symbol Pin.No STR-L6400系列 高度 9mm 引脚间距 2.45mm 4.外形图 STR-Y6400系列        STR-L6400系列 高度 *基板上 STR-Y6400 20mm STR-L6400 11.3mm  5.多BottomSkip动作 轻负载 中负载 重负载  2Skip ? 1Skip ? 准共振 Ids Vds 6.多模式控制原理 ☆全负载领域的高效率化 输出功率 开关频率 0 QR 1SKIP 2SKIP STAND-BY 7.自动待机动作 负载 Up↑ ? 间欠周期 High↑  负载 Down↓ ? 间欠周期 Low↓ Ids Vds 8.参考电路比较 STR-W6765 演示板电路图 AC85~AC264V Po=30.4W STR-Y6400 减少元器件 外部元器件减少7个 9.IC周围元器件减少 以前(6Pin)外部电路 7Pin化后的外部电路 3元器件 D S/GND BD MIC STR-Y6400 OCP 8元器件 S/GND MIC STR-W6700 D ☆7Pin基板控制信号独立化         ?外部元器件削除 OCP/ BD 10.标准电路例 STR-Y6400 演示板电路图 AC85V~AC264V Po=30.4W  11.变换效率特性 1 全负载领域的高效率化 12.变换效率特性(轻负载动作时) 空载消耗功率0.1W以下 空载时 AC120V :65mW AC230V :78mW 13.多模式控制的效果  2Skip准共振?自动待机 轻负载效率UP STR-G6600相当  STR-W6700相当 STR-Y6476 2skip模式 STR-Y6476 自动待机 变压器杂音抑制对策 ○负载急变时的模

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