模拟电子技术 翟丽芳第3章　场效应晶体管及其放大电路.ppt

2.多级放大电路的耦合方式 (1) 阻容耦合 (2) 直接耦合 (3) 变压器耦合 (1) 阻容耦合 　阻容耦合两级放大电路 (2) 变压器耦合 　变压器耦合多级放大电路 (3) 直接耦合 　直接耦合两级放大电路 3.3.2　多级放大器技术指标的计算 1.电压放大倍数： 2.输入电阻： 3.输出电阻： 4.带宽: 例3-5　在图3-20所示电路中，设静态工作点合适，其中各电容器的电容量均足够大，场效应晶体管和晶体管的gm、β、rbe已知。试求该放大电路的 、Ri和Ro的值。 解　画出该电路的微变等效电路 Ri＝RG3+RG1//RG2 Ro＝RC 例：电路如图所示，试求放大倍数、输入电阻和输出电阻。已知T1管gm＝0.8mA/V，T2管rbe=1.2kΩ，β=100 。 例：请用三极管（β=100，=300Ω，UBEQ=0.7V）设计一个两级放大电路，要求输入电阻Ri≥2kΩ，输出电阻Ro≤100，并且当ui=0.1sinωtV，要求输出电压uo=sinωtV，已知电源电压VCC=15V，负载电阻RL=100Ω。要求说明各级电路设计过程，并给出完整的电路图。 本章小结 1. 场效应管有结型和绝缘栅型两种类型，它们都有N沟道和P沟道两类。绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型。结型场效应管只有耗尽型。 2. 场效应管是电压控制型器件，而半导体三极管是电流控制型器件，区别在于场效应管是通过栅-源电压uGS控制漏极电流iD，体现这种控制作用的是跨导gm。 3. 场效应管可以工作于三种状态：可变电阻区、恒流区和截止区。 4. 场效应管正常工作时栅极几乎没有电流通过，故输入电阻很大，适合作为多级放大电路的输入级。 5. 场效应管的直流偏置方式有自给偏压式和分压偏置式两种，前者只适用于耗尽型FET。FET静态工作点的估算有图解法和公式估算法两种，常用估算法。 6．场效应管有共源极放大电路、共漏极放大电路（源极输出器）和共栅极放大电路三种组态。共源极放大电路具有电压放大能力，输出电阻较高；共漏极放大电路没有电压放大能力，输出电阻低。这两种电路都具有很高的输入电阻。共栅极电路较少使用。 7.多级放大器的极间耦合方式有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式。阻容耦合各级Q点独立，便于调试但不利于集成化；直接耦合Q点互相牵扯，不利于调试但利于集成化。多级放大器的放大倍数是各级放大倍数的成绩。 * 第*页 模拟电子技术 江苏理工学院电信学院 第三章场效应管及其放大电路 第3章　场效应晶体管及其放大电路 3.1　场效应晶体管 3.2　场效应晶体管放大电路 3.3　多级放大电路 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET） 本章教学要求 了解场效应晶体管的结构、工作原理，掌握场效应晶体管的外特性及主要参数； 掌握场效应晶体管的共源、共漏极放大电路分析方法； 理解多级放大器的级联方式及其特点，掌握多级放大器的放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算方法。 1.结型场效应晶体管的结构和符号 a)N沟道结构示意图　b)N沟道图形符号c)P沟道结构示意图　d)P沟道图形符号 3.1　场效应晶体管 3.1.1　结型场效应晶体管 G: 栅极 S: 源极 D: 漏极 2.结型场效应晶体管的工作原理 　N沟道结型场效应晶体管直流偏置电路 加压原则： 在栅－源极之间加电压，使栅-源极间的PN结反偏，栅极电流iG≈0 。 在漏-源极之间加电压，使沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作定向移动，形成漏极电流iD。 (1)当uDS＝0V时，uGS对导电沟道的控制作用 a）uGS=0V b）UGS(off)uGS0V c）uGS≤UGS(off) UGS(off)：夹断电压 (2)当UGS(off)uGS0V时，uDS对漏极电流iD的影响 a）uGS-uDS ＞UGS(off) b）uGS-uDS= UGS(off) c）uGS-uDSUGS(off) 小结： 1)结型场效应晶体管栅极与沟道之间的PN结是反向偏置，因此，栅极电流 iG≈0，输入阻抗很高。 2)漏极电流iD受栅-源电压uGS控制，所以场效应晶体管是电压控制电流型器件。 3)预夹断前，即uDS较小时，iD与uDS间基本呈线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 (1)输出特性曲线 1)可变电阻区 2)恒流区(饱和区、放大区)  3)击穿区 4)截止区(夹断区) 3.结型场效应晶体管的特性曲线 (2)转移特性曲线 a)转移特性曲线　b)输出特性曲线 iD＝IDSS （UGS(off)uGS0） (1)结构 a)N沟道增强型MOS管结构示意图　b)N沟道增强型MOS管符号　c)P沟道增强型MOS管符号