铝合金微弧氧化工艺及性能研究-材料学专业毕业论文.docxVIP

沈阳理工大学硕士学位论文 沈阳理工大学硕士学位论文 第 第 1 章 绪论 PAGE PAGE 10 PAGE PAGE 13 达到临界击穿电压之前，在阳极金属上发生普通的电化学反应，生成一层很薄的 非晶态氧化膜，当外加电压达到临界击穿电压后，膜层上最薄弱的部位首先被击 穿，随着电压继续增加，氧化膜表面出现微弧放电现象，形成等离子体。微弧瞬 间温度极高，不仅使微弧区的基体合金发生熔融，也使周围的液体气化并产生极 高的压力，在这种高温高压作用下，基体表面原有的氧化膜发生晶态转变，同时 电解液中的氧离子和其他离子也通过放电通道进入到微弧区，和熔融的基体发生 等离子化学反应，反应产物沉积在放电通道的内壁上，随着微弧继续在试样表面 其他薄弱部位放电，逐渐形成均匀的氧化膜。从实验现象观察，在微弧氧化过程 中关于试样表面的电击穿现象，许多研究者都对其产生的原因提出过多种假设和 模型。 Young等提出了热作用机理。该理论认为，界面膜层存在一个临界温度，当膜 层中的局部温度超过时，便产生电击穿。温度的变化由氧化过程中产生的焦耳热 所引起，因此称之为热作用机理[7]。热作用机理没有提出定量的模型，虽然可以定 性解释大电流密度时的电击穿现象，但对某些小电流密度产生的电击穿现象无法 解释。 俄罗斯的Yahalom和Zahavi提出了机械作用机理。他们认为，电击穿产生与否 主要取决于氧化膜与电解液界面的性质，杂质离子的影响是次要的。氧化时，膜 层厚度增加，造成膜层中压应力增大，于是产生裂纹，电流从裂纹处流过，而局 部裂纹中流经的大电流密度将导致电击穿。此外，局部的大电流密度产生大量的 焦耳热，促进膜层局部晶化，从而产生更多的裂纹或提高膜层的离子或电子的导 电性，有利于进一步产生电击穿。若存在杂质离子，则更容易产生电击穿[8]。但是， Yahalom和Zahavi没有能提出定量的理论模型，且不能完全解释一些实验现象。 Wood和Person提出了电子雪崩机理。他们在研究电击穿现象时发现，电击穿 的产生与氧化膜的性质以及电解液的组成密切相关，而与杂质离子或缺陷的存在 与否关系不大。他们认为电子从溶液中注入氧化膜后，被电场加速，并与其它原 子发生碰撞，电离出电子，这些电子以同样的方式促使更多的电子产生，这一过 程称之为“电子雪崩”。电子电流随电子雪崩的出现而增大，从而引起氧化膜绝缘性 能的破坏，产生电击穿。溶液中的阴离子也有可能因高电场作用被捕获进入氧化 膜，引起电子雪崩[9]。 S.Ikonopison[10]首次用定量的理论模型揭示了微弧氧化的机理，并引进了陶瓷 层击穿电压的概念，而且还指出了击穿电压主要取决于金属的性质和微弧氧化处 理液的组成，而微弧氧化处理液的导电性、电流密度、电极形状及升压方式等对 击穿电压的影响较小。 陈宏，郝建民，冯忠绪[11]研究认为微弧氧化膜层是在气泡位于陶瓷层的孔隙处 时而生长，阳极气泡击穿理论模型能够合理地解释微弧氧化的基本过程和机理。 潘明强[12]从理论上对微弧氧化膜层的生长过程和成膜机理进行探讨。李淑华，程金 生，尹玉军等[13]叙述与分析了微弧氧化陶瓷膜的生长规律、电流变化规律，根据建 立的膜层结构与对应电压的关系模型，研究了微弧氧化陶瓷膜的生成机理。综上 所述，微弧氧化机理的研究经历了一个从简单到复杂，从定性到定量，从考察单 一因素到综合因素的过程。鉴于微弧氧化陶瓷膜的形成过程是一个包含化学和电 化学过程以及光、电、热等作用的极其复杂的过程，纵多研究学者加强微弧氧化 技术基础理论的研究，促进微弧氧化技术的工业化应用。 1.3 微弧氧化的技术特点和应用领域 技术特点 由于等离子体弧光放电具有高密度能量，可以在基体与外来陶瓷膜层物料间 形成气相搅拌，使之充分混合、反应并烧结，通过合理控制沉积速率、反应速度 及烧结能量，即可在基体(阳极工件)表面上获得具有较高硬度、膜层与基体结合性 能良好的陶瓷氧化膜；同时，由于参与反应并形成陶瓷相的物料离子在液体中受 到电场力作用可均匀传输到基体附近的空间，在膜层的均匀性、对基体形状尺寸 允许程度等方面有较好保证。通过改变电解液成分及工艺参数，可以制备出不同 化学成分配比、晶体结构类型及性能的陶瓷膜层[14]。膜层和基体直接在离子键的作 用下结合在一起，等离子体弧光放电的高密度能量使基体表面微区内形成熔融区， 使膜层与基体之间形成微区冶金结合，提高了膜层与基体之间的结合能力[15]。微弧 氧化处理工序简单，没有必要精确地控制溶液温度，在正常的冷却条件下均可获 得品质良好的陶瓷层。微弧氧化处理效率高，对材料的适用性宽。试样氧化前后 不发生尺寸变化，处理好的试样不用进行后续机械加工。此外，微弧氧化技术突 破了传统的阳极氧化电流、电压法拉第区域的限制，将工作区域引到