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* * 第8章 霍尔传感器 * * 引言 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。 1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应，但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。 随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 * * 8.1 霍尔传感器的工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度B的磁场（磁场方向垂直与薄片）中，当有电流I通过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH，这种物理现象称为霍尔效应。该电势UH 称霍尔电势。 8.1.1 霍 尔 效 应 * * 霍尔效应 一块长为L、宽为W、厚为d的N型半导体薄片，位于磁感应强度为B的磁场中，B垂直于L-W平面，沿L通电流I，N型半导体的载流体-电子将受到B产生的洛仑兹力FB的作用 * * 洛仑兹力FL使电子向垂直于B和自由电子运动方向偏移，其方向符合右手螺旋定律，即电子有向某一端积聚的现象，使半导体—端面产生负电荷积聚，另一端面则为正电荷积聚。由于电荷积聚，产生静电场，称为霍尔电场。该静电场对电子的作用力FE与洛仑兹力FL的方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为 8.1.2 基本原理 * * 电场力阻止电子继续向原侧面积累，当电子所受电场力和洛仑兹力相等时，电荷的积累达到动态平衡，由于存在EH，半导