第3章节 扩散(电子科大mems课件)资料.pptVIP

1 3.5 常见杂质的扩散系数 硼：浓度在 1020cm-3 以下时，硼的扩散系数中以 D+ 为主，与杂质浓度的关系不大 。浓度超过 1020cm-3 后，有些原子将处于填隙位置 ，或凝结成团，使硼的扩散系数在这个浓度范围内降低。 砷：浓度在 1020cm-3 以下时，砷的扩散系数中以 D0 和 D- 为主。浓度超过 1020cm-3 后，有些原子也将处于填隙位置。 砷在硅中的扩散系数较低，因此常用于浅结扩散中，例如亚微米 NMOS 的源漏区扩散和微波双极晶体管的发射区扩散 。此外，高浓度下填隙原子的增多使扩散分布的顶部变得平坦，高浓度下砷扩散的电场增强效应很明显，这又使得扩散分布的前沿非常陡。结果使砷扩散的分布呈矩形的所谓 箱形分布，这也有利于浅结扩散。 磷：磷的扩散系数比砷高得多，而且扩散分布比较平缓，因此不利于形成浅结。磷扩散可用于较大尺寸 NMOS 的源漏区扩散和低频双极晶体管的发射区扩散；在大功率 MOS 器件中对漏区进行磷扩散可降低漏附近的电场强度；在大规模集成电路中，磷扩散主要用于阱区和隔离区。 3.6 扩散分布的分析 一、薄层电阻 RS（方块电阻 R口）的测量 无穷大样品 有限尺寸样品 测量