如何读懂MOS说明书.docxVIP

1 介绍 功率半导体应用 Philips 半导体 理解数据说明书：功率MOS 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 说明书。 说明书用来说明各种产品的性能。这对于 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。 另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要 特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以 BUK553-100A为例, 这是一种100 V逻辑电平 MOS管。 飞利浦的功率MOS数据说明书所包含的信息 数据说明书由以下八个部分组成： *快速参考数据 *极限值 *热阻 *静态特性 *动态特性 *反向二极管极限值及特性 *雪崩极限值 *图形数据 下面叙述每一部分 快速参考数据 这些数据作为迅速选择的参考。包括器件的关键参 数，这样工程师就能迅速判断它是否为合适的器件。 在所包括的五个参数中，最重要的是漏源电压 VDS是 和开启状态下的漏源阻抗RDS(ON)。VDS是器件在断开 状态下漏极和源极所能承受的最大电压。RDS(ON) 是 器件在给定栅源电压以及25 ? C的结温这两个条 件下最大的开启阻抗 ( RDS(ON)由温度所决定，见其 静态特性部分)。 这两个参数可以说明器件最关键 的性能。 漏极电流值 (ID) 和总耗散功率都在这部分给出 。这 些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书 的给定的条件很难达到（见极限值部分）。在大多数 应用中，可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值 要低。限于所用的散热装置，大多数工程师所能接受 的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。结温 (TJ) 通常给出的是150 ? C或者175 ? C。器件内部温度不 建议超过这个值。 极限值 这个表格给出六个参数的绝对最大值。器件可以在此 值运行但是不能超出这个值，一旦超出将会对器件发 生损坏。 漏源电压和漏栅电压有同样的值。 给出的数据为可以加 在各相应端所使用的最大电压。 栅源电压, VGS, 给 出在栅极和源极之间允许加的最大电压。一旦超过这 个电压值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产 生永久性损害。给出的两个直流漏极电流值ID,一个 是在背板温度为25 ? C 时，另一个是在背板温度为 100? C时。再且这些电流值不代表在运行过程中能够 达到。当背板温度在所引述的值时，这些电流值将会 使得结温达到最大值 。因此最大电流降额作为背 板温度的函数，所引用的两个值曲线是降额曲线 上的两个点（见图一）。 引述的第三个电流值是脉冲峰值, IDM. 功率MOS 器 件总的来说都有很强的峰流通过能力。连接管脚和 芯片上的内部接线决定该极限值。IDM 所能应用的 脉冲宽度取决于热考虑 (见计算电流的部分)。总消 耗功率, Ptot, 以及最大结温在快速参考数据中也 已说明。Ptot的值在等式1中以商的形式给出(见安全 运行区部分)。所引述的条件是衬底温度保持在25? C。例 如，BUK553-100A 的 Ptot 值为75 W,消耗这个功率 使衬底温度保持在25 ? C 是极大的挑战。衬底温度 越高，能耗散的总耗散功率越低。 PDF 文件使用 pdfFactory 试用版本创建 2 介绍 功率半导体应用 Philips 半导体 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 ID% 标准的电流降额 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Tmb / C 图.1 标准连续漏极电流 ID% = 100 . ID/ID25 ?C = f(Tmb); 状态: VGS 3?5V 热阻 给出两个非绝缘封装的热阻值。从结点到背板的值 (Rthj-mb)表明当耗散一个给定的功率时，结温将会 比背板温度所高出多少。以 BUK553-100A 为例,它的 Rthj-mb 等于 2 K/W, 耗散的功率为10 W,结温将会高 于背板20 ? C。另一个数值是从结点到外界的环 境，这是一个更大的数值，它说明当器件不安 装散热器且在流通空气中运行时结温是如何升 高的。以BUK553-100A为例, Rthj-a = 60 K/W, 在 流通空气中功率的耗散为1W将会产生使结温高于外 界空气环境温度60 ? C的情况。 很显然如果衬底温度等于最大允许的结温时，没 有功率可被耗散掉。如图2的降额曲线，此器件的结 温为175? C。 PD% 标准的功率降额 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Tmb / C 图.2 标准功率耗散 P