第四版第2讲半导体二极管修改.pptVIP

第三讲 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 四、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化 三、二极管的等效电路 五、稳压二极管 五、稳压二极管 主要参数 讨论一  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 讨论二 讨论二 * 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 点接触型： 结面积小，结电容小 允许的电流小 工作频率高 面接触型： 结面积大，结电容大 允许的电流大 工作频率低 平面型： 结面积可小、可大 小的工作频率高 大的结允许的电流大 几～几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge nA级 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 ) ( u f i = 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 mV) 26 ( ) 1 e ( T S T = - = U I i U u 常温下 温度的 电压当量 1. 正向特性 当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。 　　相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右。