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《低频电子线路》 《低频电子线路》 山东大学 信息科学与工程学院 刘志军 回顾上节课内容 双极型晶体三极管 双极型晶体管的导电原理 晶体管电流分配关系和放大 晶体三极管的放大作用 本节课内容 双极型晶体管的伏安特性曲线 三极管主要参数 晶体管命名法 1.3.3 双极型晶体管的伏安特性曲线 BJT的伏安特性曲线 是指其各极电压与电流的关系。 不同的放大器特性曲线内容意义不同。 网络端口特性 将晶体管视为二端口网络，则特性曲线应有两组，即输入端和输出端的特性曲线。 ① 输入特性曲线（图） 输入特性曲线表达式 输入特性曲线分析 VCE增大时，曲线略有右移，到一定程度则不再变化。 这是管子的基调效应。 ②输出特性曲线（图） 输出特性曲线表达式 输出特性曲线分析 有四个区 饱和区 工作区 截止区 击穿区 饱和区 eb结 和 cb结 均为正偏。 管子完全导通，其正向压降很小。 相当一个开关“闭合（Turn on）”。 工作区 eb结 正偏，cb结 反偏 。 这是管子的正常放大状态。 此时具有“恒流特性”。  截止区 eb结和cb结 均为反偏。 管子不通，相当于一个“开关”打开（Turn off）。 管子的cb结 承受大的 反向电压。 击穿区 管子被反向电压（太大）击穿。 管子的 PN结特性破坏。 注意 厄利电压 （基调效应）。 截止区对应 iB =－ICBO 曲线以下区域。 iC 电流增大，?略有增大。 工作区的恒流特性和厄利电压有关。? 1.3.4 三极管主要参数 管子参数 是衡量晶体管质量好坏和选择管子的主要依据。 1.???? 电流放大参数  电流放大参数用以衡量管子的放大性能。 ①共基直流电流放大参数 共基交流电流放大参数 ②共射直流电流放大参数  共射交流电流放大参数 管子的?取值 放大状态 一般取 ? = 30~60。 ?太小 的管子放大不足。 ?太大 的管子工作不稳定。 2.极间反向电流 极间反向电流 是指管子各电极之间的反向漏电流参数。 ①C、B间反向饱和漏电流 ② 管子C、E间反向饱和漏电流 管子反向饱和漏电流 硅管比锗管小。 此值与本征激发有关。 取决于温度特性（少子特性）。 3.极限参数 使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。 ①集电极最大允许电流 ICM 留有一定的余量。 ICM 指β下降到额定值的2/3时 的IC值。  ②集电极最大允许功耗PCM  ＝ 击穿区的功率损耗线（见下图） 集电极最大允许功耗PCM（图） ③反向击穿电压 反向击穿电压 另有 VCEO＞VCER ＞VCES 极限参数 以上介绍的三个极限参数 PCM ICM V（BR）CEO 所限定的区域称为晶体管安全工作区。  §1.8 晶体管命名法 1、国产半导体分立元件标准 （国标） 2、国产半导体集成电路标准（国标） 1、国产半导体分立元件标准 （国标） 中国国家标准（GB—249—74）规定的中国半导体器件型号命名方法 中国半导体器件命名法 第一部分：用数字表示器件的电极数目 第二部分：用汉语拼音字母表示材料和 极性 第三部分：用汉语拼音字母表示器件的 类型 第四部分：用数字表示器件序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 第一部分 用数字表示器件的电极数目 符号和意义 2 二极管 3 三极管 第二部分 用汉语拼音字母表示材料和极性 第二部分（二极管） A N型锗材料 B P型锗材料 C N型硅材料 D P型硅材料 第二部分（三极管） A PNP型 锗材料 B NPN型 锗材料 C PNP型 硅材料 D NPN型 硅材料 E 化合物 材 料 第三部分 用汉语拼音字母表示器件的类型 P 普通管 V 微波管 W 稳压管 C 参量管 第三部分 用汉语拼音字母表示器件的类型 Z整流管 L整流堆 S隧道管 N阻尼管 U光电器件 K开关管 第三部分 X 低频小功率管 （f?3MHz, Pc1W） G 高频小功率管 （f?≥3MHz,Pc1W） D 低频大功率管 （f?3MHz,Pc≥1W） A 高频大功率管 （f?≥3MHz,Pc≥1W） 第三部分 T 闸流管（可控整流器） Y 体效应器件 B 雪崩