2 半导体中的杂质和缺陷 .pptVIP

半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics);第二章 半导体中的缺陷和杂质;理想的半导体晶体 ;;理论分析认为;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;两种杂质的特点;以硅中掺入磷（P）为例，研究Ⅴ族元素杂质的作用。当一个磷原子占据了硅原子位置，磷原子有五个价电子，其中四个价电子与周围四个硅原子形成共价键，还剩余一个价电子。磷原子成为一个带有一个正电荷的磷离子（P+），称为正电中心磷离子。其效果相当于形成了一个正电中心和一个多余的电子。 ;多余的电子束缚在正电中心周围，但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很小的能量就可以使多余电子挣脱束缚，成为自由电子在晶格中运动，起到导电的作用。这时磷原子就成了一个少了一个价电子的磷离子，它是一个不能移动的正电中心。 多余电子脱离杂质原子成为导电电子的过程称为杂质电离。使这个多余电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能，用ΔED表示。 实验测得，Ⅴ族元素原子在硅、锗中的电离能很小，在硅中电离能约为0.04~0.05eV，在锗中电离能约为0.01eV，比硅、锗的禁带宽度小得多。 ;Ⅴ族元素杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而 产生导电电子并形成正电中心。称为施主杂质或n型杂质 施放电子的过程称为施主电离。 施主杂质在未电离时是中性的，称为束缚态或中性态， 电离后成为正电中心，称为离化态。 ;施主能级用离导带底Ec为ΔED处的短线段表示，施主能级上的小黑点表示被施主杂质束缚的电子。箭头表示被束缚的电子得到电离能后从施主能级跃迁到导带成为导电电子的电离过程。导带中的小黑点表示进入导带中的电子，⊕表示施主杂质电离后带 正电，成为不可移动的正点中心。 ;硅中掺入硼（B）为例，研究Ⅲ族元素杂质的作用。当一个硼原子占据了硅原子的位置，如图所示，硼原子有三个价电子，当它和周围的四个硅原子形成共价键时，还缺少一个电子，必须从别处的硅原子中夺取一个价电子，于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。硼原子成为一个带有一个负电荷的硼离子（B-），称为负电中心硼离子。其效果相当于形成了一个负电中心和一个多余的空穴。 ;多余的空穴束缚在负电中心周围，但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很小的能量就可以使多余空穴挣脱束缚，成为自由空穴在晶格中运动，起到导电的作用。这时硼原子就成了一个多了一个价电子的硼离子，它是一个不能移动的负电中心。 多余空穴脱离杂质原子成为导电空穴的过程称为杂质电离。使这个多余空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量称为杂质电离能，用ΔEA表示。 实验测得，Ⅲ族元素原子在硅、锗中的电离能很小（即多余空穴很容易挣脱原子的束缚成为导电空穴），在硅中约为0.045~0.065eV，在锗中约为0.01 eV。 ;2.1.3 受主杂质、受主能级3;受主能级用离价带顶EV为ΔEA处的短线段表示，受主能级上的小圆圈表示被受主杂质束缚的空穴。箭头表示被束缚空穴得到电离能后从受主能级跃迁到价带成为导电空穴（即价带顶电子跃迁到受主能级上填充空位）的电离过程。价带中的小圆圈表示进入价带中的空穴，Θ表示受主杂质电离后带负电，成为不可移动的负点中心。 ;综上所述;关于能带图;（1） 氢原子基态电子的电离能;估算结果与实际测量值有相同数量级;杂质的补偿作用 ;ND 施主杂质浓度 NA 受主杂质浓度 n 导带中的电子浓度 p 价带中的空穴浓度 假设施主和受主杂质全部电离，分情况讨论杂质的补偿作用。 ;NDNA时，受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到受主能级上，填满NA个受主能级，还剩(ND-NA)个电子在施主能级上，杂质全部电离时，它们跃迁到导带中成为导电电子，这时，n=ND-NA≈ND，半导体是N型的 ;情况二;有效杂质浓度;非Ⅲ、Ⅴ族元素掺入硅、锗中也会在禁带中引入能级，这些能级一般有以下两个特点： （1）施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。称为深能级，相应的杂质称为深能级杂质； （2）这些深能级杂质能产生多次电离，每一次电离相应有一个能级。因此，杂质在硅、锗的禁带中往往引入若干个能级。而且，有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。;深能级杂质，一般情况下在半导体中的含量极少，而且能级较深，它们对半导体中的导电电子浓度、导电空穴浓度和导电类型的影响没有浅能级杂质明显，但对于载流子的复合作用比浅能级杂质强，故这些杂质也称为复合中心，它们引入的能级就称为复合中心能级。金是一种很典型的复合中心，在制造高速开关器件时，常有意地掺入金以提高器件的速度。 ;2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的特殊杂质;2、两性杂质; 当半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏时就形成了各种缺陷。 缺陷分为三类：