半导体与二极管.pptVIP

2.2.4 PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 2.2.4 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 ??????????????????? 由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响，PN结高频等产电路如图所示，图中r表示电阻，C表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于的向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较小（主要决定于势垒电容CB）。 PN结的等效电路 2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管是由一根很细的金属触丝和一块半导体的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，金属与半导体结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。由于点接触型二极管金属丝很细，形成的PN结面积很小，所以极间电容很小，也不能承受高的反向电压和大的电流。 面接触型或称面结型二极管的结构，由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大。 ??????????