三氧化钨气敏机理的密度泛函研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

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  • 2019-05-19 发布于江苏
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三氧化钨气敏机理的密度泛函研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

摘要随着环境中有害气体排放量的增多及人们环保意识的增强,新型高性能低功 摘要 随着环境中有害气体排放量的增多及人们环保意识的增强,新型高性能低功 耗气敏传感器越来越受到大家的关注。本文主要就不同纳米结构的W03晶体对 不同种类气体的气敏机理进行了密度泛函研究:并从实验角度证明了理论计算的 合理性。 首先,在W03晶体模型基础上构建-Y(001),(100),(101),(OlO),(020)等低晶面 - 指数的表面。通过计算比较各个表面的能量,得出(002)表面有最低的表面能; ● 而(101)和(020)表面有同样最大的表面能。选择能量最低最易结晶的(002) 、 表面研究其对Nit3吸附机理。具有最低吸附能的ol。位置吸附被作为最稳定和最 佳的吸附体系。NH3吸附后费米能级整体向右(能量增大的方向)移动了大约 1.08eV。同时,整个NH3分子失去了0.35电子。即W03的(002)表面获得0.35 个电子。以上两个因素导致W03表面电阻降低。 其次,实验采用热熔法制备了W03纳米片,表征结果显示纳米片主要沿着 【010】和[100]方向生长,而以士(001)晶面封闭为片状结构。因此,纳米片暴露最大 的(002)表面被作为气体吸附的表面。因此,论文中研究了(002)表面对N02 气体的吸附机理并得出结论:01。位置的吸附体系具有最低的吸附能,体系结构 ’最稳定。N02在此位置的

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