氧化镓纳米带的制备研究-北京大学教务部.DOC

北京大学政学者论文集（2001年） 氧化镓纳米带的制备研究 PAGE PAGE 406 氧化镓纳米带的制备研究 Synthesis of ?-Ga2O3 Nanobelts 物理系 98级 向杰 摘要：纳米带是继纳米线、纳米管之后，在2001年新报道的又一种准一维纳米结构。本文介绍了Ga2O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析发现，纳米带宽约200nm，厚度约10nm，宽度-厚度比大于20。选区电子衍射（SAED）分析表明，产物是纯净的Ga2O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构，如纳米片、柳叶状纳米带等，证明了纳米带是纳米线之外Ga2O3一种很常见并稳定存在的形态。最后，我还根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。 Abstracts: Nanobelts are a newly discovered family of quasi-one dimensional nanostructures besides nanotubes and nanowires. Here we report a new route to synthesis Ga2O3 nanobelts, which is di