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2.3 晶闸管的主要特性 本节主要内容2.3.1晶闸管的断态特性 晶闸管阻断模式 (1)PN结的雪崩击穿、穿通效应 (2)晶闸管的阻断电压 (3)晶闸管的最小长基区宽度Wn(min) 器件的结终端技术 (1)表面态与表面电场 (2)结终端技术 2.3.2晶闸管的通态特性 (1)晶闸管的通态电压 (2)功耗 2.3.1晶闸管的断态特性(续） （1） p+n结的击穿电压 雪崩击穿电压： 碰撞电离的强弱程度通常用电离率来表示，有如下经验公式： 式中a、b、n 均为常数。 2.3.1晶闸管的断态特性 p+n结的电场分布： 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 则上式可简化为: 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 穿通电压： 当有效基区宽度随反向电压增加而趋近于零时，定义此时p+n结两端所承受的耐压为穿通电压，记为VPT。 2.3.1晶闸管的断态特性(续） (2)晶闸管的阻断电压 晶闸管有两个以上的 pn结，J1、J2 结的耐压与单个pn结有何不同？ 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 2.3.1晶闸管的断态特性(续） (3)晶闸管的最小长基区宽度Wn(min) 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 当 时，采用优化设计方法 。 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 解上述超越方程可得到α1 ，依次可求出K、VB、 ρ、 xm 及Wen 。 所以长基区宽度为： Wn ＝ xm ＋Wen 假定一次扩散结深为xjp ，则硅片厚为: δ＝Wn ＋2xjp 正斜角、负斜角及电场分布 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 2.3.1晶闸管的断态特性(续） （2） 结终端技术 双正角和组合斜角造型 2.3.1晶闸管的断态特性(续） (1)晶闸管的通态电压 1．体压降: Vm是Wn /LP的函数，当Wn /LP≤1时，Vm在pin二极管的总压降中可以忽略不计。当Wn /LP≥3时，Vm呈指数增加，远大于“短”结构时的压降。通常取Wn≤3LP。 2.3.2晶闸管的通态特性(续） Wn /LP是体压降大小的主要标志。要减小体压降，唯一的方法提高少子寿命或缩短基区宽度。 Vm与J无关。 扩散长度随注入载流子浓度的增加而减小。在注入电平大于1017cm-3，载流子-载流子散射和俄歇复合起着减小La的作用。因而在低电流密度下的“短”结构，在高电流密度下要变为“长”结构 。 2.3.2晶闸管的通态特性(续） 2．结压降: p+in+结构的结压降Vj可由载流子浓度分布服从玻尔兹曼分布规律得到。 2.3.2晶闸管的通态特性(续） 3．欧姆接触压降： 正常情况下，大功率器件的欧姆接触压降是很小的。 2.3.1晶闸管的通态特性(续） (2)晶闸管的功率损耗 通态功率损耗PT 断态功率损耗PD 开通损耗Pon 关断损耗Poff 门极损耗PG 工频下PT 是主要的. 2.3.1晶闸管的通态特性(续） 通态功率损耗PT的简易算法 2.3.1晶闸管的通态特性(续） 当 时,有 由瞬态VA曲线计算 由半导体物理， 要求掌握的内容 1.雪崩电压与穿通效应; 2.晶闸管的耐压与单个pn结有何不同？主要决定于哪些量？ 3.结终端的表面电场强度及相关技术; 4.通态电压的构成及如何减小通态电压; 5.器件损耗的计算 谢谢！ 计算上式得到: 2.3.1晶闸管的通态特性(续） 考虑到管芯和电极部分的欧姆接触电阻R，全部压降为 由实际测得的导通电压曲线中适当选取三个点，以iT和vT代入上式可求出三个常数. 在 周期内通态正弦半波时的平均功率损耗为 作业题： 制作一电压为2KV的二极管，试计算应选用电阻率为多少的硅单晶材料？如果用电阻率100?.cm的材料来作这种二极管(p+n结),问其基区宽度至少应为多少? * (第四讲) 2.3.1晶闸管的断态特性 2.3.2晶闸管的通态特性 2.3.3晶闸管的动态特性 2.3.1.1晶闸管阻断模式 对于硅的平均电离率可简化表示为： 为常数。 雪崩击穿条件： 为p+n单边突变结的空间电荷区宽度。 2.3.1晶闸管的断态特性(续） 将电离率代入雪崩击穿条件并作变量代换得 ： 积分得到： 又偏压VA 下的空间电荷层宽度