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第３章 ＣＭＯＳ器件模型; 主要内容;３.１ MOS管大信号模型;MOS管大小信号模型关系;nmos管的大信号特性 ;输出特性;大信号模型的推导思路;饱和特性;大信号ＭＯＳ管的工作区域; ＮＭＯＳ管的电流方程
NMOS管在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程;硅常数表;０.８um工艺参数;跨导特性;例题 大信号模型的应用;３.２ MOS管小信号模型;1 低频小信号模型;MOS管交流小信号模型---低频;几个重要的参数;饱和区MOS管的跨导gm;饱和区MOS管的跨导;饱和区MOS管的gmb;饱和区MOS管的gmb;饱和区MOS管的输出电阻;增益AV;MOS管的最高工作频率 ft; MOS管的最高工作频率;MOS管交流小信号模型---高频;MOS管的高频小信号电容;
栅与沟道之间的栅氧电容
C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅氧电容εox/tox；
沟道耗尽层电容：
交叠电容（多晶栅覆盖源漏区所形成的电容，每单位宽度的交叠电容记为Col）：
包括栅源交叠电容C1＝WdCol与栅漏交叠电容C4=WdCol：;MOS管栅源电容－饱和区 ;需要记住的电容;0.35um主要参数;讨论;Mos管设计考虑;主要公式(掌握);主要公式(续); ３.３ 计算机仿真模型;模型参数变化;尺寸缩小考虑因素;MOS的Spice模型参数 ;MOS管Spice模型参数;求解过程; 仿真示例;仿真结果;工艺角;３.４亚阈值电压区MOS模型 ;亚阈值工作区;亚阈值效应;亚阈值效应;MOS管亚阈值效应;亚阈值效应的应用;ＣＭＯＳ器件性能参数计算;简单MOS管的特性;模型参数的抽取过程 ;关系曲线;K’和 VT 的计算 ;习题; 习题;本章小结
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