介质阻挡放电等离子体沉积氟碳薄膜研究.PPT

* * 介质阻挡放电等离子体沉积氟碳薄膜研究 摘要: 在低气压下介质阻挡放电（DBD）等离子体中，C4F8作为源气体，在Si基底上沉积出表面致密，憎水性良好的FC薄膜。根据原子力显微镜（AFM） 的检测结果，随着电源放电频率的升高，FC薄膜的表面粗糙度随之升高；但随沉积气压的升高，FC薄膜的表面粗糙度明显下降。X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱( FTIR)的分析结果都表明，FC薄膜中主要的组分为CF3，CF2，-CF-CF，-CF-C，C-CFx和C-H，并且随着沉积气压的升高，薄膜中CF2官能团有了明显增加，而交联结构随之减少，但电源放电频率的改变对薄膜成分影响很小。静态接触角测量结果表明，在低气压下，采用DBD等离子体制备的FC薄膜均具有良好的憎水性，改变电源放电频率及沉积气压对所制备的FC膜的憎水性能影响较小。但放电频率对薄膜沉积速率有较明显的影响，随着放电频率的增加，薄膜的沉积速率显著提高。 利用大气压介质阻挡放电法沉积FC薄膜，且SEM结果显示在C4F8含量的较小时，沉积的FC薄膜较均匀，质量较高。XPS分析表明C4F8含量的增大促进了薄膜中交联结构的产生。 牛金海a，冯志庆a，李伟b ，尹晔珺b ，谷建东b，张莲莲c，刘东平a a．大连民族学院光电子技术研究所，辽宁，大连，116600 b．大连交通大学机械工程学院，辽宁，大连，116028