双极晶体管应用原理.pptVIP

3.5 等效电路模型 3.5.３ Hybrid-Pi模型 （1）完整模型： B B’ E C C’ E’ （2）简化模型： E B C E 3.5 等效电路模型 3.5.3 Hybrid-Pi模型 （1）等效电路： E B C E （2）频率响应： （a）直流响应： （b）交流响应： 3.6 频率上限 3.6.1 延时因子 发射区到集电区的总延时： 发射结电容充电时间： 基区渡越时间： 集电结耗尽区渡越时间： 集电结电容充电时间： 3.6 频率上限 3.6.2 晶体管截止频率 共基极 电流增益 共发射极 电流增益 截止频率 截止频率 3.7 大信号开关 3.7.1 开关特性 （1）开关电路 （3）输入信号 （4）输出电流 正向有源 饱和 饱和 基区 集电区 发射区 少子浓度 （2）电荷存储 3.7 大信号开关 3.7.2 肖特基钳位晶体管 （1）肖特基钳位晶体管 正向有源 饱和 基区 集电区 发射区 少子浓度 （2）电荷存储 E B C 饱和 E B C C B E （3）肖特基钳位晶体管 的集成 3.8 其它双极晶体管* 多晶硅发射极晶体管 ——提高了发射极注入效率和共基极电流增益 GeSi基区晶体管 ——提高了共基极电流增益和截止频率 异质结晶体管 ——提高了发射极注入效率和截止频率 第三章 双极晶体管 3.1 双极晶体管及工作原理 3.1.1 概念介绍 3.1.2 基本工作原理 3.1.3 晶体管电流简介 3.1.4 工作模式 3.1.5 放大电路 3.2 少子分布 3.2.1 正向有源模式 3.2.2 其它工作模式 3.3 低频共基极电流增益 3.3.1 电流成分 3.3.2 电流增益的推导 3.3.3 电流增益的总结 3.4 非理想效应* 3.4.1 基区宽度调制效应 3.4.2 大注入效应 3.4.3 发射区禁带变窄 3.4.4 电流集边效应 3.4.5 基区非均匀掺杂 3.4.6 双极晶体管的击穿 3.5 等效电路模型 3.5.1 Ebers-Moll模型 3.5.2 Gummel-Poon模型* 3.5.3 Hybrid-Pi模型 3.6 频率上限* 3.6.1 延时因子 3.6.2 截止频率 3.7 大信号开关* 3.7.1 开关特性 3.7.2 肖特基钳位晶体管 3.8 其它双极晶体管* 3.1 双极晶体管及工作原理 3.1.1 概念介绍 B P+ N++ N E C P N+ P++ E B C （1）NPN管 （2）PNP管 C B E C B E C B E C B E 3.1.2 基本工作原理 （1）能带结构 （1）NPN管 （2）PNP管 Ec Ev EFi EF N区 P区 N区 Ec Ev EFi EF N区 P区 P区 电子电流（多） 空穴电流（少） 空穴电流（多） 电子电流（少） B P+ N++ N E C P N+ P++ E B C 3.1.2 基本工作原理 （2）电流的形成 B E C P+ N++ N Ec Ev EFi EF E(n) B(p) C(n) 平衡态 正向有源 发射区 -n- 集电区 -n- 基区 -p- 3.1.3 晶体管电流简介 （1）电流成分 正向有源晶体管电流 发射区 -n- 集电区 -n- 基区 -p- C B E 电子电流 理想 实际 发射结电子电流 发射结空穴电流 集电结电子电流 集电结空穴电流 发射结空穴电流 基区复合电流 3.1.3 晶体管电流简介 （2）电流增益 发射区 -n- 集电区 -n- 基区 -p- 理想 实际 发射结正偏： 共基极电流增益： 共发射极电流增益： 3.1.4 工作模式 B E C P+ N++ N 正向有源 反向有源 饱和 截止 正向有源：发射结正偏，集电结反偏； 截止：发射结反偏，集电结反偏； 饱和：发射结正偏，集电结反偏； 反向有源：发射结反偏，集电结正偏。 3.1.4 工作模式 负载线： B E C P+ N++ N 饱和 截止 正向有源 3.1.5 放大电路 B E C P+ N++ N NPN管共发射极放大电路 3.2 少子分布 3.2.1 正向有源模式 发射区 -n- 集电区 -n- 基区 -p- （1）基区： B（p） E（n） C（n） 双极输运方程 边界条件 少子分布函数 3.2.1 正向有源模式 发射区 -n- 集电区 -n- 基区 -p- （2）发射区： B（p） E（n） C（n） 双极输运方程 边界条件 少子分布函数 3.2.1 正向有源模式