集成电子技术基础浙大版1篇1章习题解答.docVIP

第一章 半导体二极管及其电路分析 题1.1.1 已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1（a）所示。 若将其按正向接法直接与1.5V电池相连，估计会出现什么问题？ 若将其按反向接法直接与30V电源相连，又会出现什么问题？ 分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。 画出两只2AP9二极管 [图题1.1.1（a）]在：同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。 图题1.1.1 解：(1)烧杯二极管； (2)反向击穿； (3)串联电阻可以限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值，使二极管或稳压管安全； (4)同相串联：其正反相的电压分别增加反相串联 略去正向压降后都是反向特性； 同相并联时：其特性如同一只管子特性 反相并联时：两边都是正向特性。 题1.1.2 当用万用表电阻档测量二极管[参见图题1.1.1（b）]，分析： 所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态（微变）电阻？ 设万用表内电池电压为1.5V，R×10Ω档的内阻Riˊ为240Ω，R×100Ω档的内阻Riˊ=2.4kΩ。试用图解分析法估算： a）用R×10Ω档测得的正向电阻值； b）用R×100Ω档测得的正向电阻值。 从概念上说明， 为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊？ 解：(1) 是二极管的直流电阻。 (2) 在二极管的特性曲线坐标上，作出两条负载线，负载线和特性曲线的交点求得VD和ID，然后求出这二档的电阻。负载线方程分别为： VD=1.5-0.24ID (R×10Ω档) VD=1.5-2.4ID (R×100Ω档) 所以用R×10Ω档测得的二极管正向电阻值为 用R×100Ω档测得的二极管正向电阻值为 由于万用表不同档的内阻不同，使流过二极管的电流相差较大，从而不同档时，测得二极管的正向电阻相差悬珠。 题1.1.3 二极管的伏安特性曲线如图题1.1.3所示。 二极管承受的反向电压VRM为多少？ 若温度升高20°C，则二极管的反向电流IS应为多大？ 当温度升高20°C时，定性画出变化后的伏安特性曲线。 图题1.1.3 图1.1.3 解：(1) 由图可知，二极管承受的反向电压VRM规定为实际击穿电压VB的一半，即VRM=40V； (2) 在反偏的条件下，温度每增加10℃时，IS约增加1倍，所以温度增加20℃时，反向饱和电流IS约增加到原来的4倍，所以IS＝4?A。 (3) 当温度升高时的伏安特性曲线如图1.1.3所示。 题1.1.4 二极管的正向伏安特性曲线如图题1.1.4所示，室温下测得二极管中的电流为20mA。试确定二极管的直流电阻RD和动态电阻rd的大小。 图题1.1.4 解：求出ID=20mA时的VD，然后可求得直流电阻RD。 在过ID=20mA处，作一条切线，求切线斜率，可求得动态电阻rd。 题1.1.5 分析图题1.1.5电路中，各二极管是导通还是截止？并求出A、O两端的电压VAO（设D为理想二极管）。 图题1.1.5 解： 根据二极管的单向导电性得： 图(a)电路：D1截止，VAO= -12V； 图(b)电路：D1导电，D2截止，输出VAO=0V； 图(c)电路：D1截止，D2截止，输出VAO=-9V。 题1.1.6 二极管接成图题1.1.6所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。 VCC1 =6V，VCC2=6V，R1=2kΩ，R2=3kΩ VCC1 =6V，VCC2=6V，R1= R2=3kΩ VCC1 =6V，VCC2=6V，R1=3kΩ，R2=2kΩ 图题1.1.6设二极管D的导通压降VD=0.7V，求出D导通时电流ID的大小。 图题1.1.6 解：(1) D导电，ID≈0.42mA； (2) D截止，ID≈0mA； (3) D截止，IＤ=0mA。 题1.1.7 图题1.1.7所示为桥式整流电路，设二极管为理想器件，变压器的原、副边绕组匝数比为n=N1/N2=11，变压器损耗不计，v1 =V1m sinωt = 220100πt V。试回答下列问题：（1）画出v2、vO 和vD的波形；（2）求负载RL上的直流电压VO和直流电流IO ；（3）求二极管的平均电流ID和最大反向电压VRM 。 图题1.1.7 解：(1) 波形如图1.1.7所示。 图1.1.7 (2) 负载上直流电压VO≈0.9×V2＝0.9×20V＝18V，直流电流IO≈18mA； (3) ID=IO/2≈9mA，VRM≈28.2V。 题1.1.8 图题1.1.8电路中，设 vi =12sinωt V，分别画出iD、vD和vO的波形（要求时间坐标对齐），并将二极管电流iD的峰值和其所承受的反向峰值标于图中（假定D为理想二极管）。 图题