半导体二极管与及三极管.pptVIP

小结： 两种载流子:自由电子和空穴。 温度对半导体器件性能的影响很大。 本征半导体的导电能力很弱。 14.3 半导体二极管 1、结构：PN结+引线+外壳 2、符号 3、型号 见附录A，2AP、2CZ11D 注意：死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V，计算导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 齐纳（、掺杂多）4V以下 电击穿： 雪崩（宽、掺杂少）7V以上 1.4 稳压二极管 一、作用 与电阻配合使用起稳压作用。 二、符号 1、正向（与普通二极管一样） 2、反向 1）工作区 IZMinIIZMax 2）电击穿 3）曲线陡，ΔIZ变化大而ΔUZ变化小 4）符号 1）、放大区 1、符号 2、型号 2EF 1、符号 2、型号 2AU、2CU 1、符号 2、型号 3AU、3DU 2、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 a)“恒流”特性 （UCE≥1V） IC(m