俄歇电子能谱 aes精编版.pptVIP

2、俄歇谱分析技术-III表面元素的化学价态分析 三、俄歇电子谱分析技术 近年俄歇电子能谱的化学位移分析在薄膜材料的研究上获得了重要的应用，取得了很好的效果 由于谱图解析的困难和能量分辨率低的缘故，一直未能获得广泛的应用 在SiO2/Si界面不同深度处的Si LVV俄歇谱 Si LVV俄歇谱的动能与Si原子所处的化学环境有关。在SiO2物种中，Si LVV俄歇谱的动能为72.5 eV, 而在单质硅中，其Si LVV俄歇谱的动能则为88.5 eV。 锰和氧化锰的俄歇电子谱 氧化锰 540eV 587eV 636eV 锰 543eV 590eV 637eV 锰 氧化锰 2、俄歇谱分析技术-III表面元素的化学价态分析 当俄歇跃迁涉及到价电子能带时，情况就复杂了，这时俄歇电子位移和原子的化学环境就不存在简单的关系，不仅峰的位置会变化，而且峰的形状也会变化。 Mo2C、SiC、石墨和金刚石中 碳的 KLL（KVV或）俄歇谱 2、俄歇谱分析技术-III表面元素的化学价态分析 2、俄歇谱分析技术-iiii元素沿深度方向的分布分析 AES的深度分析功能是俄歇电子能谱最有用的分析功能 原理：先用Ar离子把表面一定厚度的表面层溅射掉，然后再用AES分析剥离后的表面元素含量，这样就可以获得元素在样品中沿深度方向的分布。 PZT/Si薄膜界面反应后的典型的俄歇深度分析图 2、俄歇谱分析技术-V表